减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法以及半导体制造方法技术

本发明专利技术提供了一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法以及半导体制造方法。本发明专利技术的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法包括：首先，在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构；随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶对第二氧化物层进行干法刻蚀，从而形成第二氧化物层的图案，然后去除光刻胶；随后，利用湿法刻蚀对氮化物层和第一氧化物层进行刻蚀，从而在氮化物层和第一氧化物层中形成与第二氧化物层的图案对应的图案，由此暴露出部分衬底表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，而且本专利技术还涉及一种采用了该减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的半导体制造方法。
技术介绍
ONO(Oxide-Nitride-Oxide，氧化物/氮化物/氧化物)结构是半导体器件制造过程中经常碰到的结构。而且，在半导体器件制造过程中经常需要对ONO结构进行沉积和刻蚀。图1和图2示意性地示出了根据现有技术的ONO刻蚀步骤。如图1和图2所示，首先在衬底10(一般为硅衬底)上沉积依次连续沉积第一氧化物层21、氮化物层22和第二氧化物层23，以在衬底10上形成ONO结构。随后对ONO结构进行刻蚀，从而暴露出部分衬底表面11。但是，现在存在的问题是，如果ONO结构底部的第一氧化物层21太薄，则暴露的部分衬底表面11很可能会由于过分的干法刻蚀而被损伤。由此，希望能够提供一种能够防止或者减少暴露的部分衬底表面被干法刻蚀而损伤的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够防止或者减少暴露的部分衬底表面被干法刻蚀而损伤的方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术的第一方面，提供了一种减少ONO刻
蚀中衬底表面损伤的方法，包括：首先，在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构；随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶对第二氧化物层进行干法刻蚀，从而形成第二氧化物层的图案，然后去除光刻胶；随后，利用湿法刻蚀对氮化物层和第一氧化物层进行刻蚀，从而在氮化物层和第一氧化物层中形成与第二氧化物层的图案对应的图案，由此暴露出部分衬底表面。优选地，第一氧化物层和第二氧化物层是氧化硅层。优选地，氮化物层是氮化硅层。根据本专利技术的第二方面，提供了一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，包括：首先，在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构；随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶进行干法刻蚀，以便对第二氧化物层进行完全刻蚀，并且对氮化物层进行部分，从而形成与光刻胶图案相对应的图案，然后去除光刻胶；随后，利用湿法刻蚀对剩余厚度的氮化物层和第一氧化物层进行刻蚀，从而使得ONO结构总体形成与光刻胶图案对应的图案，由此暴露出部分衬底表面。优选地，第一氧化物层和第二氧化物层是氧化硅层。优选地，氮化物层是氮化硅层。根据本专利技术的第三方面，提供了一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，包括：首先，在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物
层，以在衬底上形成ONO结构，并且在ONO结构上形成附加氮化物层；随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶对附加氮化物层和第二氧化物层进行干法刻蚀，从而形成第二氧化物层的图案，然后去除光刻胶；随后，利用湿法刻蚀对氮化物层和第一氧化物层进行刻蚀，从而在氮化物层和第一氧化物层中形成与第二氧化物层的图案对应的图案，由此暴露出部分衬底表面。优选地，第一氧化物层和第二氧化物层是氧化硅层。优选地，附加氮化物层和氮化物层是氮化硅层。根据本专利技术的第四方面，还提供了一种采用了上述减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的半导体制造方法。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1和图2示意性地示出了根据现有技术的ONO刻蚀步骤。图3至图5示意性地示出了根据本专利技术第一优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的各个步骤。图5至图8示意性地示出了根据本专利技术第二优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的各个步骤。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发
明的内容进行详细描述。<第一优选实施例>图3至图5示意性地示出了根据本专利技术第一优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的各个步骤。如图3至图5所示，根据本专利技术第一优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法包括：首先，在衬底10(一般为硅衬底)上沉积依次连续沉积第一氧化物层21、氮化物层22和第二氧化物层23，以在衬底10上形成ONO结构，如图3所示；例如，第一氧化物层21和第二氧化物层23是氧化硅层，而且氮化物层22是氮化硅层。随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶对第二氧化物层23进行干法刻蚀，从而形成第二氧化物层23的图案，然后去除光刻胶，如图4所示；随后，利用湿法刻蚀对氮化物层22和第一氧化物层21进行刻蚀，从而在氮化物层22和第一氧化物层21中形成与第二氧化物层23的图案对应的图案，由此暴露出部分衬底表面，如图5所示。在根据本专利技术第一优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法中，通过结合使用干法刻蚀和湿法刻蚀来分别进行部分刻蚀，从而能够防止或者减少暴露的部分衬底表面被干法刻蚀损伤。<第二优选实施例>图5至图8示意性地示出了根据本专利技术第二优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的各个步骤。如图5至图8所示，根据本专利技术第二优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法包括：首先，在衬底10(一般为硅衬底)上沉积依次连续沉积第一氧化物层21、氮化物层22和第二氧化物层23，以在衬底10上形成ONO结构，如图6所示；
例如，第一氧化物层21和第二氧化物层23是氧化硅层，而且氮化物层22是氮化硅层。随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶进行干法刻蚀，以便对第二氧化物层23进行完全刻蚀，并且对氮化物层22进行部分刻蚀，从而形成与光刻胶图案相对应的图案，然后去除光刻胶，如图7所示；随后，利用湿法刻蚀对剩余厚度的氮化物层22和第一氧化物层21进行刻蚀，从而使得ONO结构总体形成与光刻胶图案对应的图案，由此暴露出部分衬底表面，如图8所示。在根据本专利技术第二优选实施例的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法中，通过结合使用干法刻蚀和湿法刻蚀来分别进行部分刻蚀，从而能够防止或者减少暴露的部分衬底表面被干法刻蚀损伤。而且，根据本专利技术的第四选实施例，本专利技术还提供了一种采用了上述实施例中描述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法的半导体制造方法。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于包括：首先，在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构；随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶对第二氧化物层进行干法刻蚀，从而形成第二氧化物层的图案，然后去除光刻胶；随后，利用湿法刻蚀对氮化物层和第一氧化物层进行刻蚀，从而在氮化物层和第一氧化物层中形成与第二氧化物层的图案对应的图案，由此暴露出部分衬底表面。

【技术特征摘要】
1.一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于包括：首先，在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构；随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶对第二氧化物层进行干法刻蚀，从而形成第二氧化物层的图案，然后去除光刻胶；随后，利用湿法刻蚀对氮化物层和第一氧化物层进行刻蚀，从而在氮化物层和第一氧化物层中形成与第二氧化物层的图案对应的图案，由此暴露出部分衬底表面。2.根据权利要求1所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，第一氧化物层和第二氧化物层是氧化硅层。3.根据权利要求1或2所述的减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于，氮化物层是氮化硅层。4.一种减少ONO刻蚀中衬底表面损伤的方法，其特征在于包括：首先，在衬底上沉积依次连续沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，以在衬底上形成ONO结构；随后，在ONO结构上涂覆光刻胶，并形成光刻胶图案；随后，利用形成有光刻胶图案的光刻胶进行干法刻蚀，以便对第二氧化物层进行完全刻蚀，并且对氮化物层进行部分，从而形成与光刻胶图案相对应的图案，然后去除光刻胶；随后，利用湿法刻蚀对剩余厚度的氮化物层和第一氧化物层进行刻蚀，从而使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亚贞，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31