【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器的制作方法
本专利技术是用于电介质刻蚀机内对等离子工作气体进行加热并可通过改变线路中的电流和电压进行加热温度控制的设备,特别涉及一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器的制作方法。
技术介绍
电介质刻蚀机是半导体芯片加工的关键设备,对于特定的射频耦合反应离子刻蚀的等离子体源使用SiO、SiN等不同介质材料。等离子工作气体对加热器件不但要求在通过加热器后被均匀地控制在特定的温度,同时要求加热器具有低粉尘,耐腐蚀性,工作性能稳定可靠等特点。而现有技术中加热器的防尘、耐腐蚀性都不高,工作稳定性差,这给半导体芯片加工带来极大的不便,降低了生产率,也降低了生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供通过将加热元件植入加热盘体,并在加热盘体上设计多个均匀分布的等直径小孔,实现等离子工作气体均匀通过加热盘的同时对工作气体进行加热到工作温度功能的一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器。本专利技术的目的是以如下方式实现的:一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器的制作方法,包括以下步骤:A、加工高纯度铝合金制多孔状加热盘体:将气体分配加热盘靠外圈位置设计两个用于放置加热管的沟槽,深度和宽度与加热管的直径尺寸相同;在加热管的出口处设计成斜边形状,对加热管起导向作用并可实现加热盘与加热管全程紧密贴合;气体分配加热盘上设若干均匀分布的等直径小孔用于对等离子工作气体进行分配;气体分配加热盘分为底盘和盖板两部分,在盖板上加热管出口的位置具有腰形开口,并在腰形开口的周边设有密封区域;B、使用具有与气体分配加热基体相同的热涨系数的铝制加热管;C、 ...
【技术保护点】
一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器,包括以下步骤:A、加工高纯度铝合金制多孔状加热盘体:将气体分配加热盘靠外圈位置设计两个用于放置加热管的沟槽,深度和宽度与加热管的直径尺寸相同;在加热管的出口处设计成斜边形状,对加热管起导向作用并可实现加热盘与加热管全程紧密贴合;气体分配加热盘上设若干均匀分布的等直径小孔(1?3)用于对等离子工作气体进行分配;气体分配加热盘分为底盘(1)和盖板(2)两部分,在盖板(2)上加热管(4)出口的位置具有腰形开口,并在腰形开口的周边设有密封区域;B、使用具有与气体分配加热基体相同的热涨系数的铝制加热管(4);C、?加热管(4)植入气体分配加热盘体实现加热元件与加热基体融合为:弯制内、外两根加热管使其与气体分配加热盘上沟槽的形状相配合;用压力仪器将内外两根加热管嵌入气体分配加热盘上的沟槽内;装配盖板(2),并进行焊接操作,使底盘(1)、加热管(4)和盖板(1)融合为一体的结构。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器的制作方法,包括以下步骤:A、加工高纯度铝合金制多孔状加热盘体:将气体分配加热盘靠外圈位置设计两个用于放置加热管的沟槽,深度和宽度与加热管的直径尺寸相同;在加热管的出口处设计成斜边形状,对加热管起导向作用并可实现加热盘与加热管全程紧密贴合;气体分配加热盘上设若干均匀分布的等直径小孔(1-3)用于对等离子工作气体进行分配;气体分配加热盘分为底盘(1)和盖板(2)两部分,在盖板(2)上加热管(4)出口的位置具有腰形开口,并在腰形开口的周边设有密封区域;B、使用具有与气体分配加热基体相同的热涨系数的铝制加热管(4);C、加热管(4)放入气体分...
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