用于薄半导体的平板化背侧处理制造技术

本发明专利技术涉及用于薄半导体的平板化背侧处理。本发明专利技术揭示一种半导体制造方法，其包括将第一裸片附接到衬底面板。所述方法还包括在将所述第一裸片附接到所述衬底面板之后将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底面板。所述方法进一步包括在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化。在薄化之前将所述裸片附接到所述衬底面板免除在处理薄半导体时使用载体晶片。

【技术实现步骤摘要】
分案申请信息本专利技术专利申请是申请日为2010年5月7日、申请号为201080020194.1、专利技术名称为“用于薄半导体的平板化背侧处理”的专利技术专利申请案的分案申请。
本专利技术大体来说涉及集成电路(IC)。更具体来说，本专利技术涉及制造集成电路。
技术介绍
半导体裸片包括晶体管与制造于衬底上的作用层中的其它组件的集合。通常，这些衬底为半导体材料，且特定来说为硅。另外，按照惯例，这些衬底厚于为获得所要装置行为所必需的厚度。按照惯例，所述层沉积于半导体晶片上，所述半导体晶片经单一化或经分割以形成诸多半导体裸片。厚衬底在超出晶体管行为范围的半导体制造期间具有优点。在晶片及/或裸片的制造期间，衬底经受许多工艺、高温，及工具乃至制造地点之间的转移。在这些转移期间，衬底可能断裂，从而导致时间及资源的损失。厚衬底较不可能在制造期间断裂。沉积于衬底上的材料可能会具有与衬底不同的应力，从而导致不平衡的应力。当衬底与所沉积材料之间的应力不平衡时，衬底可能翘曲或弯曲以达到一平衡应力。厚衬底能够比薄衬底更好地使由所沉积材料强加的应力平衡。已按照惯例通过用粘合剂将薄衬底附接到厚支撑衬底来解决关于在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造方法，所述方法包含：将第一裸片附接到衬底；在将所述第一裸片附接到所述衬底之后，将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底；在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化，其中所述薄化暴露至少一个通孔；在薄化后，将隔离层沉积于所述第一裸片上；在所述隔离层中图案化互连件；及将封装连接件沉积于所述第一裸片上。

【技术特征摘要】
2009.05.07 US 12/437,1681.一种半导体制造方法，所述方法包含：将第一裸片附接到衬底；在将所述第一裸片附接到所述衬底之后，将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底；在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化，其中所述薄化暴露至少一个通孔；在薄化后，将隔离层沉积于所述第一裸片上；在所述隔离层中图案化互连件；及将封装连接件沉积于所述第一裸片上。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在将所述第一裸片附接到所述衬底之前使所述第一裸片薄化。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将所述封装连接件耦合到所述第一裸片中的所述至少一个通孔。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含将第二裸片附接到所述封装连接件。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包含将第二模制化合物涂覆到所述第二裸片。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在将所述第一裸片附接到所述衬底之前将晶片分割成所述第一裸片。7.根据权利要求1所述的方法，其中涂覆所述第一模制化合物包含施加环氧树脂基模制化合物。8.根据权利要求1所述的方法，其中涂覆所述第一模制化合物包含用模制化合物填充模套，且将所述模套施加到所述第一裸片。9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将所述第一裸片并入选自由以下各者组成的群组的装置中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔温德·钱德拉舍卡朗，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US