用于薄半导体的平板化背侧处理制造技术

技术编号:7283979 阅读:138 留言:0更新日期:2012-04-20 05:53
本发明专利技术揭示一种半导体制造方法,其包括将第一裸片附接到衬底面板。所述方法还包括在将所述第一裸片附接到所述衬底面板之后将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底面板。所述方法进一步包括在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化。在薄化之前将所述裸片附接到所述衬底面板免除在处理薄半导体时使用载体晶片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体来说 涉及集成电路(IC)。更具体来说,本专利技术涉及制造集成电路。
技术介绍
半导体裸片包括晶体管与制造于衬底上的作用层中的其它组件的集合。通常,这些衬底为半导体材料,且特定来说为硅。另外,按照惯例,这些衬底厚于为获得所要装置行为所必需的厚度。按照惯例,所述层沉积于半导体晶片上,所述半导体晶片经单一化或经分割以形成诸多半导体裸片。厚衬底在超出晶体管行为范围的半导体制造期间具有优点。在晶片及/或裸片的制造期间,衬底经受许多工艺、高温,及工具乃至制造地点之间的转移。在这些转移期间,衬底可能断裂,从而导致时间及资源的损失。厚衬底较不可能在制造期间断裂。沉积于衬底上的材料可能会具有与衬底不同的应力,从而导致不平衡的应力。当衬底与所沉积材料之间的应力不平衡时,衬底可能翘曲或弯曲以达到一平衡应力。厚衬底能够比薄衬底更好地使由所沉积材料强加的应力平衡。已按照惯例通过用粘合剂将薄衬底附接到厚支撑衬底来解决关于在制造期间使用薄衬底的问题。所述支撑衬底被称作载体晶片。在完成制造过程的薄衬底经受破裂风险的部分之后,拆离所述载体晶片。由于若干原因,使用载体晶片为不合需要的。所述载体晶片增加了制造成本,但未增加最终产品的有形价值。另外,将载体晶片附接到薄衬底的粘合剂会将残余物留在半导体晶片的薄衬底上。尽管载体晶片提供了制造期间的稳定性,但从载体晶片释放薄衬底提出了制造挑战。使用薄衬底制造的一个实例是堆叠式IC的构造。堆叠式IC通过垂直地堆叠裸片而增大了装置功能性且减小了裸片大小。类似于使较多办公空间适配于较小土地面积的高层塔式大楼,堆叠式IC为晶体管及其它组件提供更多空间,同时占用相同面积。在堆叠式IC中,第二裸片堆叠于第一裸片上,从而允许构造扩展成三维(3D)构造。堆叠式IC允许具有大量组件的产品适配小的形状因子。半导体裸片的组件密度为裸片中的组件的数目除以裸片面积。举例来说,将一裸片堆叠于一等同裸片上导致相同面积中的组件的数目大致加倍,以使组件密度加倍。当将第二裸片堆叠于第一裸片上时,所述两个裸片共享同一封装且经由所述封装与外部装置通信。按照惯例,第二裸片通过位于第一裸片中的穿硅通孔而耦合到封装及外部装置。 部分地基于所选择的制造技术,穿硅通孔的纵横比为受限制的。结果,第一裸片的高度受限制,以便确保穿硅通孔可延伸第一裸片的整个高度。穿硅通孔应延伸所述整个高度以获得从封装衬底到第二裸片的导电路径。随着第一裸片的高度减小以适应穿硅通孔制造,第一裸片的结构强度受到损失。按照惯例,制造堆叠式IC包括在使第一裸片薄化之前将第一裸片附接到用于支撑的载体晶片。接着使所述第一裸片薄化以适应所述穿硅通孔的高度。在薄化之后应从载体晶片释放第一裸片的晶片,以封装堆叠式IC。然而,一旦从载体晶片释放,第一裸片便可能在第一裸片的衬底与裸片中的任何作用层之间具有不平衡应力。因此,需要薄衬底的半导体制造,所述半导体制造减小了在不使用载体晶片的情况下所述薄衬底所遭受的风险
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,一种半导体制造方法包括将第一裸片附接到衬底面板。 所述方法还包括在将所述第一裸片附接到所述衬底面板之后将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底面板。所述方法进一步包括在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化。根据本专利技术的另一方面,一种半导体制造方法包括将一晶片分割成第一层裸片。 所述方法还包括将所述第一层裸片附接到衬底面板。所述方法进一步包括将第一模制化合物涂覆到所述第一层裸片及所述衬底面板。所述方法还包括背面研磨所述第一层裸片及所述第一模制化合物。所述方法又还包括将第二层裸片附接到所述第一层裸片。所述方法进一步包括将第二模制化合物涂覆到所述第一层裸片及所述第二层裸片。根据本专利技术的又一方面,一种半导体装置包括衬底面板。所述装置还包括附接于所述衬底面板上的第一裸片。所述装置进一步包括部分地环绕所述第一裸片且与所述衬底面板齐平的模制化合物。根据本专利技术的另一方面,一种半导体装置包括用于电子处理的装置。所述装置还包括用于将所述用于电子处理的装置固定于适当位置的装置。所述装置进一步包括用于封装所述用于电子处理的装置的装置,其与所述用于固定的装置及所述用于电子处理的装置齐平。前文已相当广泛地概述了本专利技术的特征及技术优点以便可更好地理解以下实施方式。下文中将描述形成本专利技术的权利要求书的主题的额外特征及优点。所属领域的技术人员应了解,所揭示的概念及特定实施例可容易地用作用于修改或设计其它结构的基础, 所述其它结构是用于进行本专利技术的相同目的。所属领域的技术人员还应认识到,这些等效构造并不脱离如在所附权利要求书中所阐述的本专利技术的技术。当结合随附图式考虑时,从以下描述将更好地理解被视为本专利技术所特有的新颖特征(关于其组织及操作方法两者)连同其它目标及优点。然而,应明确地理解,各图中的每一者是仅出于说明及描述目的而提供且并不既定作为对本专利技术的限制的界定。附图说明为了更完整地理解本专利技术,现参考结合随附图式进行的以下描述。图1为展示可有利地使用本专利技术的实施例的示范性无线通信系统的框图。图2为说明针对如下文所揭示的半导体组件的电路、布局及逻辑设计而使用的设计工作站的框图。图3为说明堆叠式IC的框图。图4为说明处于张应力下的裸片的框图。图5为说明常规堆叠式IC制造的流程图。图6A到图6K为说明常规堆叠式IC制造过程的框图。图7为说明根据一个实施例的用于制造IC的示范性工艺的流程图。图8为说明根据一个实施例的用于制造堆叠式IC的示范性工艺的流程图。图9A到图9L为说明根据一个实施例的示范性堆叠式IC制造过程的框图。具体实施方式 图1为展示可有利地使用本专利技术的实施例的示范性无线通信系统100的框图。出于说明的目的,图1展示三个远程单元120、130及150以及两个基站140。应认识到,典型的无线通信系统可具有更多远程单元及基站。远程单元120、130及150包括IC装置125A、 125B及125C,其包括通过本文所揭示的工艺所制造的电路。应认识到,含有IC的任何装置还可包括具有所揭示特征的半导体组件及/或通过本文中所揭示的工艺制造的组件,包括基站、开关装置及网络设备。图1展示从基站140到远程单元120、130及150的前向链路信号180及从远程单元120、130及150到基站140的反向链路信号190。在图1中,将远程单元120展示为移动电话,将远程单元130展示为便携式计算机,且将远程单元150展示为无线本地环路系统中的固定位置远程单元。举例来说,所述远程单元可为例如以下各者的装置音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元,及计算机。尽管图1说明根据本专利技术的教示的远程单元,但本专利技术并不限于这些示范性说明的单元。如以下所描述,本专利技术可适合用于包括半导体组件的任何装置中。图2为说明针对如以下所揭示的半导体组件的电路、布局及逻辑设计而使用的设计工作站的框图。设计工作站200包括硬盘201,所述硬盘201含有操作系统软件、支持文件及例如Cadence或OrCAD的设计软件。设计工作站200还包括显示器以协助电路210或半导体组件212 (例如,晶片或裸片)的设计。提供存储媒体204用于以有形方式存本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:阿尔温德·钱德拉舍卡朗
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术