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本发明涉及用于薄半导体的平板化背侧处理。本发明揭示一种半导体制造方法，其包括将第一裸片附接到衬底面板。所述方法还包括在将所述第一裸片附接到所述衬底面板之后将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底面板。所述方法进一步包括在涂覆所述模制化合物之...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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