在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法技术

一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，包括如下步骤：在导线上形成第一绝缘薄膜；通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜，第二绝缘薄膜填入第一接触孔中；通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第二绝缘薄膜；以及在第二绝缘薄膜上形成导电连接层，导电连接层填入第二接触孔中并与导线接触导通。该制作方法，可以有效地避免底切(undercut)问题，且制作工艺简单，易于实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体地涉及一种在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)因其轻便、低辐射等优点使用越来越普遍。液晶显示面板包括对置的彩色滤光片基板(CF基板)和薄膜晶体管阵列基板(TFT阵列基板)以及夹置在两者之间的液晶层。如图1所示，在TFT制造工艺中，往往要求蚀刻过后的图形或过孔断面有一定的坡度角，这样有利于下一层薄膜沉积时能够很好的覆盖。而目前TFT制造工艺中，在两层或多层非金属膜中制作接触孔时，通常采取一次蚀刻同时蚀刻两层或多层非金属膜层的制程。在图1中，在两层绝缘膜11、12中，通过一次干蚀刻工艺制作形成有接触孔(图未标)，该接触孔具有一定的坡度角，这样下一层薄膜13在沉积时能够很好的覆盖该接触孔。如图2所示，当叠加在一起的不同非金属层蚀刻速率相差过大，典型的如下层绝缘膜11比上层绝缘膜12蚀刻速率快较多时，蚀刻过后会出现底切(undercut)现象，下一层薄膜13在沉积时无法很好的覆盖接触孔，严重的导致下一层薄膜13在爬坡位置断裂(如图中所示)。现有解决底切(undercut)现象的方式为调整蚀刻制程参数，调整诸如气体配比、制程功率、环境压力等等，使对不同绝缘膜层的蚀刻速率尽量接近。但该方法需设计大量实验，费时费力，而且在薄膜间蚀刻率差异过于巨大的情况下，依靠调整蚀刻制程参数的方法无法很好的解决底切(undercut)现象。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法，可以有效地避免底切(undercut)问题，且制作工艺简单，易于实现。本专利技术第一实施例提供的解决其技术问题的技术方案如下：一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，包括如下步骤：在导线上形成第一绝缘薄膜，导线由导电材料制成；通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第一绝缘薄膜，以露出导线；在第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜，第二绝缘薄膜填入第一接触孔中；通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第二绝缘薄膜，以露出导线，其中第二接触孔的尺寸小于第一接触孔，使得在对第二绝缘薄膜进行蚀刻形成第二接触孔的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜；以及在第二绝缘薄膜上形成导电连接层，导电连接层填入第二接触孔中并与导线接触导通。本专利技术第二实施例提供的解决其技术问题的技术方案如下：一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，包括如下步骤：在导线上形成第一绝缘薄膜，导线由导电材料制成；通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜上形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第一绝缘薄膜，以露出导线；在第一绝缘薄膜上形成由导电材料制成的蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层填入第一接触孔中并与导线接触导通；在第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜，第二绝缘薄膜覆盖蚀刻阻挡层；通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第二绝缘薄膜，以露出蚀刻阻挡层，其中蚀刻阻挡层具有阻隔作用，使得在对第二绝缘薄膜进行蚀刻形成第二接触孔的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜；以及在第二绝缘薄膜上形成导电连接层，导电连接层填入第二接触孔中并与蚀刻阻挡层接触导通。本专利技术较佳实施例中，导线为TFT阵列基板上的栅源漏极金属层中的栅极或源极或漏极。本专利技术较佳实施例中，第一绝缘薄膜为TFT阵列基板上的栅极绝缘层，第二绝缘薄膜为TFT阵列基板上的钝化绝缘层。本专利技术较佳实施例中，第一绝缘薄膜为TFT阵列基板上的第一钝化绝缘层，第二绝缘薄膜为TFT阵列基板上的第二钝化绝缘层。本专利技术较佳实施例中，导电连接层为TFT阵列基板上的像素电极层。本专利技术较佳实施例中，蚀刻阻挡层由金属或透明导电金属氧化物制成。本专利技术较佳实施例中，第一接触孔的尺寸小于导线的宽度。本专利技术较佳实施例中，在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔的蚀刻工艺具体包括：在第一绝缘薄膜上涂覆光阻；对光阻进行曝光和显影，在将要制作第一接触孔的位置去除光阻，而其他位置保留光阻；在光阻的遮罩下对第一绝缘薄膜进行蚀刻以形成第一接触孔；去除第一绝缘薄膜上的光阻。本专利技术较佳实施例中，在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔的蚀刻工艺具体包括：在第二绝缘薄膜上涂覆光阻；对光阻进行曝光和显影，在将要制作第二接触孔的位置去除光阻，而其他位置保留光阻；在光阻的遮罩下对第二绝缘薄膜进行蚀刻以形成第二接触孔；去除第二绝缘薄膜上的光阻。在本专利技术第一实施例中，通过蚀刻工艺先在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，然后在蚀刻第二绝缘薄膜形成第二接触孔的过程中，第二接触孔的尺寸小于第一接触孔，因此不会蚀刻到第一绝缘薄膜，避免了多层绝缘薄膜因蚀刻速率的不同而导致的底切(undercut)问题，提高产品品质及良率；同时不需要调整蚀刻制程参数，可以节省时间、人力、成本，制作工艺简单，易于实现。在本专利技术第二实施例中，通过蚀刻工艺先在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，然后在第一绝缘薄膜上形成由导电材料制成的蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层填入第一接触孔中并与导线接触导通，再在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔。由于蚀刻阻挡层的阻隔作用，在对第二绝缘薄膜进行蚀刻形成第二接触孔的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜，避免了多层绝缘薄膜因蚀刻速率的不同而导致的底切(undercut)问题，提高产品品质及良率；同时不需要调整蚀刻制程参数，可以节省时间、人力、成本，制作工艺简单，易于实现。附图说明图1为在多层绝缘薄膜上开接触孔达到预定效果的示意图。图2为在多层绝缘薄膜上开接触孔出现底切现象的示意图。图3为本专利技术第一实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤流程图。图4A至图4E为图3中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤示意图。图5为本专利技术第二实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤流程图。图6A至图6F为图5中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。【第一实施例】本实施例提出一种在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法。图3为本专利技术第一实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤流程图，该制作方法包括如下步骤：S11：在导线10上形成第一绝缘薄膜21，导线10由导电材料制成；S12：通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜21中形成第一接触孔TH11，第一接触孔TH11贯穿第一绝缘薄膜21，以露出导线10；S13：在第一绝缘薄膜21上形成第二绝缘薄膜22，第二绝缘薄膜22填入第一接触孔TH11中；S14：通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜22中形成第二接触孔TH12，第二接触孔TH12贯穿第二绝缘薄膜22，以露出导线10，其中第二接触孔TH12的尺寸小于第一接触孔TH11，使得在对第二绝缘薄膜22进行蚀刻形成第二接触孔TH12的过程中不会蚀刻到第一绝缘薄膜21；S15：在第二绝缘薄膜22上形成导电连接层23，导电连接层23填入第二接触孔TH12中并与导线10接触导通。图4A至图4E为本实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法的制作步骤示意图，以下结合图4A至图4E，对本实施例中在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法进行详细说明如下。如图4A所示，在导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在导线(10)上形成第一绝缘薄膜(21)，所述导线(10)由导电材料制成；通过蚀刻工艺在所述第一绝缘薄膜(21)中形成第一接触孔(TH11)，所述第一接触孔(TH11)贯穿所述第一绝缘薄膜(21)，以露出所述导线(10)；在所述第一绝缘薄膜(21)上形成第二绝缘薄膜(22)，所述第二绝缘薄膜(22)填入所述第一接触孔(TH11)中；通过蚀刻工艺在所述第二绝缘薄膜(22)中形成第二接触孔(TH12)，所述第二接触孔(TH12)贯穿所述第二绝缘薄膜(22)，以露出所述导线(10)，其中所述第二接触孔(TH12)的尺寸小于所述第一接触孔(TH11)，使得在对所述第二绝缘薄膜(22)进行蚀刻形成所述第二接触孔(TH12)的过程中不会蚀刻到所述第一绝缘薄膜(21)；以及在所述第二绝缘薄膜(22)上形成导电连接层(23)，所述导电连接层(23)填入所述第二接触孔(TH12)中并与所述导线(10)接触导通。

【技术特征摘要】
1.一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在导线(10)上形成第一绝缘薄膜(21)，所述导线(10)由导电材料制成；通过蚀刻工艺在所述第一绝缘薄膜(21)中形成第一接触孔(TH11)，所述第一接触孔(TH11)贯穿所述第一绝缘薄膜(21)，以露出所述导线(10)；在所述第一绝缘薄膜(21)上形成第二绝缘薄膜(22)，所述第二绝缘薄膜(22)填入所述第一接触孔(TH11)中；通过蚀刻工艺在所述第二绝缘薄膜(22)中形成第二接触孔(TH12)，所述第二接触孔(TH12)贯穿所述第二绝缘薄膜(22)，以露出所述导线(10)，其中所述第二接触孔(TH12)的尺寸小于所述第一接触孔(TH11)，使得在对所述第二绝缘薄膜(22)进行蚀刻形成所述第二接触孔(TH12)的过程中不会蚀刻到所述第一绝缘薄膜(21)；以及在所述第二绝缘薄膜(22)上形成导电连接层(23)，所述导电连接层(23)填入所述第二接触孔(TH12)中并与所述导线(10)接触导通。2.一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在导线(10)上形成第一绝缘薄膜(21)，所述导线(10)由导电材料制成；通过蚀刻工艺在所述第一绝缘薄膜(21)上形成第一接触孔(TH21)，所述第一接触孔(TH21)贯穿所述第一绝缘薄膜(21)，以露出所述导线(10)；在所述第一绝缘薄膜(21)上形成由导电材料制成的蚀刻阻挡层(30)，所述蚀刻阻挡层(30)填入所述第一接触孔(TH21)中并与所述导线(10)接触导通；在所述第一绝缘薄膜(21)上形成第二绝缘薄膜(22)，所述第二绝缘薄膜(22)覆盖所述蚀刻阻挡层(30)；通过蚀刻工艺在所述第二绝缘薄膜(22)中形成第二接触孔(TH22)，所述第二接触孔(TH22)贯穿所述第二绝缘薄膜(22)，以露出所述蚀刻阻挡层(30)，其中所述蚀刻阻挡层(30)具有阻隔作用，使得在对所述第二绝缘薄膜(22)进行蚀刻形成所述第二接触孔(TH22)的过程中不会蚀刻到所述第一绝缘薄膜(21)；以及在所述第二绝缘薄膜(22)上形成导电连接层(23)，所述导电连接层(23)填入所述第二接触孔(TH22)中并与所述蚀刻阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙明剑，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32