具有反转结构的基于钴和铂的多层薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种具有新颖结构和垂直磁各向异性的基于钴(Co)和铂(Pt)的多层薄膜及其制造方法。更具体地，本发明专利技术涉及一种具有垂直磁各向异性(PMA)的基于钴和铂的多层薄膜及其制造方法，其包括在衬底之上交替地沉积的薄钴层和薄铂层，并且具有薄钴层的厚度比薄铂层的厚度大的反转结构。基于钴和铂的多层薄膜具有磁性薄层的厚度比非磁性薄层的厚度大的新结构。多层薄膜可以通过根据层的厚度比控制垂直磁各向异性能量，来容易地应用以作为磁隧道结中的自由层和固定层。此外，多层薄膜具有优良的热稳定性，因而即使在经受热处理工艺之后也能保持其PMA能量密度。另外，它使得微量的平面内磁各向异性能够通过热处理形成，以便降低磁化翻转所需的临界电流密度。因此，它可以有利地用于高性能和高密度的MRAM。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有新颖结构和垂直磁各向异性的基于钴(Co)和铂(Pt)的多层薄膜，及其制造方法。
技术介绍
在努力克服广泛地用于诸如个人计算机(PC)和移动电话之类的电子设备中的半导体存储器件——动态随机存取存储器(在下文中，被称作为DRAM)的易失性时，已经积极地对具有非易失性存储器特性的磁性随机存取存储器(在下文中，被称作为MRAM)进行了研究。如本文中所使用的，术语“非易失性存储器”指的是仅需要特定量的功率来读取和写入信息以及即使当电源阻断时也不需要单独的电源来保持写入的信息的性能。特别地，近年来，DRAM的集成度达到了极限，因而MRAM已经被视为DRAM的替代。因此，在相关工业领域中，已经积极地进行MRAM的研究和开发。自2000年初已经对MRAM进行了研究，并且早期研究主要集中在通过利用施加电流产生的磁场使磁化反转来改变隧穿磁阻(在下文中，被称作为TMR)的电阻。然而，这种基于TMR的MRAM器件具有的缺点在于，随着器件尺寸的减小，写入电流的量大大地增加，这使得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有垂直磁各向异性(PMA)的基于钴和铂的多层薄膜，其包括交替地沉积在衬底之上的薄钴层和薄铂层，并且具有所述薄钴层的厚度比所述薄铂层的厚度大的反转结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.22 KR 10-2012-00541881.一种具有垂直磁各向异性(PMA)的基于钴和铂的多层薄膜，其包括交替地沉积
在衬底之上的薄钴层和薄铂层，并且具有所述薄钴层的厚度比所述薄铂层的厚度大的反
转结构。
2.如权利要求1所述的基于钴和铂的多层薄膜，其中，在所述基于钴和铂的多层薄
膜中，所述薄钴层的厚度与所述薄铂层的厚度之比大于1:1，但小于3:1。
3.如权利要求1所述的基于钴和铂的多层薄膜，其中，在所述基于钴和铂的多层薄
膜中，每个薄铂层的厚度从0.15nm至0.25nm变动。
4.如权利要求1所述的基于钴和铂的多层薄膜，其中，在所述基于钴和铂的多层薄
膜中，所述薄钴层和所述薄铂层沉积一次，或者交替地沉积2至10次。
5.如权利要求1所述的基于钴和铂的多层薄膜，其中，所述衬底是选自硅衬底、玻
璃衬底、蓝宝石衬底和氧化镁衬底中的一个。
6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：林相镐，李泰荣，李性来，孙东秀，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR