半导体元件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体元件。根据实施例，半导体元件包括支撑件，支撑件具有第一器件接收结构和第二器件接收结构。由III‑N半导体材料配置的半导体器件耦合到支撑件，其中半导体器件具有相对的表面。第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸。第一接合焊盘耦合到第一器件接收部分，漏极接合焊盘耦合到第二器件接收部分，并且第三接合焊盘耦合到第三引线。根据另一种实施例，方法包括将包含III‑N半导体衬底材料的半导体芯片耦合到支撑件。

【技术实现步骤摘要】
本申请是由BalajiPadmanabhan等人于2015年7月24日提交的、标题为“SEMICONDUCTORCOMPONENTANDMETHODOFMANUFACTURE”的临时专利申请No.62/196,646的正式申请，通过引用将其全部内容合并至此，并且由此要求关于共同主题的优先权。
本技术一般地涉及电子学，尤其涉及其半导体结构以及形成半导体器件的方法。
技术介绍
过去，半导体制造商已经使用硅半导体材料和III-N半导体材料的组合来制造共源共栅器件，诸如与硅器件共源共栅的常开型III-N耗尽型HEMT。使用材料的这种组合帮助使用常开的III-N耗尽型器件实现常关状态。共源共栅半导体器件已经在由RakeshK.Lai等人并且于2013年4月11日公开的美国专利申请公开号2013/0088280A1中描述。在由不同的半导体衬底材料制造共源共栅器件之后，半导体元件制造商典型地将硅器件和耗尽型器件保护在单独的封装中，并且将单独的封装中的器件经由引线框架引线连接在一起以形成共源共栅器件。使用这种方法的缺点在于增加封装的数量则增加共源共栅半导体元件的成本，并且因为诸如寄生电容和寄生电感这样的增加的寄生效应而使得共源共栅器件的性能退化。因此，具有一种共源共栅半导体器件以及一种用于制造共源共栅半导体器件的方法将是有利的。结构和方法实现起来有成本效益将更为有利。
技术实现思路
在本技术的一个方面，提供了一种半导体元件，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(102)，具有第一器件接收部分(104)和第二器件接收部分(106)，第一引线(110)从第一器件接收部分(104)延伸，并且第二引线(116)从第一管芯接收部分(104)延伸，其中第一引线(110)和第二引线(116)与第一器件接收部分(104)成为一体；第三引线(108)，与第一器件接收部分(104)和第二器件接收部分(106)相邻并且电隔离；以及第一半导体器件(10，10A)，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(18，18A)从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(20，20A)从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘(16，16A)从第一表面的第三部分延伸，第一半导体器件(10，10A)以倒装芯片配置安装到支撑件，其中第一接合焊盘(18)耦合到第一器件接收部分(104)，第二接合焊盘(20，20A)耦合到第二器件接收部分(106)，并且第三接合焊盘(16，16A)耦合到第三引线(108)，其中第一半导体器件(10，10A)由III-N半导体材料配置。根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括第四引线(118)，其中第四引线(118)与第二器件接收部分(106)成为一体并且从第二器件接收部分(106)延伸。在本技术的另一个方面，提供了一种半导体元件，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(302，302A)，具有第一区域(304)、第二区域(306)和第三区域(308)，其中第一区域(304)通过第二区域(306)与第三区域(308)分离，其中第二区域(306)由底座构成；第一引线(307)，与第一区域(304)相邻并且电隔离；第二引线(310)，与第一区域(304)相邻并且电隔离；以及第一半导体器件(10)，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(18)从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(20)从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘(16)从第一表面的第三部分延伸，第一半导体器件(10)以倒装芯片配置安装到支撑件，其中第一接合焊盘(18)耦合到第一区域(304)的第一部分，漏极接合焊盘耦合到第二区域(306)的底座，并且第三接合焊盘(16)耦合到第一区域(304)的第二部分，其中第一半导体器件(10)由III-N半导体材料配置。根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括：形成在第一区域(304)的第一部分上的第一电绝缘材料(320)和形成在第一区域(304)的第二部分上的第二电绝缘材料(322)，第一区域(304)的第一部分与第一区域(304)的第二部分间隔开；以及形成在第一电绝缘材料(320)上的第一层导电材料(324)和形成在第二电绝缘材料(322)上的第二层导电材料(326)。根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于第一接合焊盘(18)耦合到第一层导电材料(324)，并且第三接合焊盘(20)耦合到第二层导电材料(326)。根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括：第一夹子(332)，具有第一端部和第二端部，第一夹子(332)的第一端部耦合到第一引线(307)，并且第一夹子(332)的第二端部耦合到第二层导电材料(326)；以及第二夹子(330)，具有第一端部和第二端部，第二夹子(330)的第一端部耦合到第二引线(310)，并且第二夹子(330)的第二端部耦合到第一层导电材料(324)。根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于第一半导体器件(10)由接合剂接合到第一夹子(332)以及接合到第二夹子(330)，其中第二夹子(330)在第一半导体器件(10)的第一部分与第一导电材料(324)之间，并且第一夹子(332)在第一半导体器件(10)的第二部分与第二导电材料(326)之间。根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于第一半导体器件(10)由接合剂接合到第一导电材料(324)以及接合到第二导电材料(326)，其中第一半导体器件(10)与第二夹子(330)横向相邻。根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括第三夹子(373)，具有第一端部和第二端部，第三夹子(373)的第一端部耦合到第二夹子(330)，并且第三夹子(373)的第二端部耦合到第一半导体器件(10)。根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括：第三引线(316)，从第一区域(304A)延伸，第三引线(316)与第一区域(304A)整体地形成；第一夹子(332)，具有第一端部和第二端部，第一夹子(332)的第一端部耦合到第一引线(307)，并且第一夹子(332)的第二端部耦合到第二层导电材料(326)；第二夹子(330)，具有第一端部和第二端部，第二夹子(330)的第一端部耦合到第二引线(310)，并且第二夹子(330)的第二端部耦合到第一层导电材料(324)，其中第一半导体器件(10)由接合剂接合到第一导电材料(324)以及接合到第二导电材料(326)，其中第一半导体器件(10)与第二夹子(330)横向相邻；以及第三夹子(403)，具有第一端部和第二端部，第三夹子(403)的第一端部耦合到第二夹子(330)，并且第三夹子(403)的第二端部耦合到第一半导体器件(10)。附图说明本技术将从结合附随附图进行的下面详细描述的阅读中更好理解，其中类似的参考字符指定类似的元件，并且其中：图1是根据本技术的实施例，适合于在制造半导体元件时使用的半导体芯片的顶视图；图2是根据本技术的另一种实施例，被配置用于封装在TO-220封装中的共源共栅连接的半导体元件的顶视图；图3是根据本技术的另一种实施例，被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(102)，具有第一器件接收部分(104)和第二器件接收部分(106)，第一引线(110)从第一器件接收部分(104)延伸，并且第二引线(116)从第一管芯接收部分(104)延伸，其中第一引线(110)和第二引线(116)与第一器件接收部分(104)成为一体；第三引线(108)，与第一器件接收部分(104)和第二器件接收部分(106)相邻并且电隔离；以及第一半导体器件(10，10A)，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(18，18A)从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(20，20A)从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘(16，16A)从第一表面的第三部分延伸，第一半导体器件(10，10A)以倒装芯片配置安装到支撑件，其中第一接合焊盘(18)耦合到第一器件接收部分(104)，第二接合焊盘(20，20A)耦合到第二器件接收部分(106)，并且第三接合焊盘(16，16A)耦合到第三引线(108)，其中第一半导体器件(10，10A)由III‑N半导体材料配置。

【技术特征摘要】
2015.07.24 US 62/196,646;2016.07.08 US 15/205,6931.一种半导体元件，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(102)，具有第一器件接收部分(104)和第二器件接收部分(106)，第一引线(110)从第一器件接收部分(104)延伸，并且第二引线(116)从第一管芯接收部分(104)延伸，其中第一引线(110)和第二引线(116)与第一器件接收部分(104)成为一体；第三引线(108)，与第一器件接收部分(104)和第二器件接收部分(106)相邻并且电隔离；以及第一半导体器件(10，10A)，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(18，18A)从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(20，20A)从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘(16，16A)从第一表面的第三部分延伸，第一半导体器件(10，10A)以倒装芯片配置安装到支撑件，其中第一接合焊盘(18)耦合到第一器件接收部分(104)，第二接合焊盘(20，20A)耦合到第二器件接收部分(106)，并且第三接合焊盘(16，16A)耦合到第三引线(108)，其中第一半导体器件(10，10A)由III-N半导体材料配置。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于还包括第四引线(118)，其中第四引线(118)与第二器件接收部分(106)成为一体并且从第二器件接收部分(106)延伸。3.一种半导体元件，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(302，302A)，具有第一区域(304)、第二区域(306)和第三区域(308)，其中第一区域(304)通过第二区域(306)与第三区域(308)分离，其中第二区域(306)由底座构成；第一引线(307)，与第一区域(304)相邻并且电隔离；第二引线(310)，与第一区域(304)相邻并且电隔离；以及第一半导体器件(10)，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(18)从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(20)从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘(16)从第一表面的第三部分延伸，第一半导体器件(10)以倒装芯片配置安装到支撑件，其中第一接合焊盘(18)耦合到第一区域(304)的第一部分，漏极接合焊盘耦合到第二区域(306)的底座，并且第三接合焊盘(16)耦合到第一区域(304)的第二部分，其中第一半导体器件(10)由III-N半导体材料配置。4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于还包括：形成在第一区域(304)的第一部分上的第一电绝缘材料(320)和形成在第一区...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·文卡特拉曼，B·帕德玛纳伯翰，刘春利，A·萨利赫，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US