一种GaN基半导体发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种GaN基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaN衬底，以及在GaN衬底上沉积p型接触层、有源层、n型电子阻挡层、n型过渡层和n型接触层；其中形成GaN衬底的方法包括如下步骤：在常温常压下，将GaN晶片放入高温高压装置中；对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热，使GaN晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaN晶片恢复至常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种发光二极管的制造方法。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)是ー种由Ga、N、As、P等的化合物制成的ニ极管，当电子与空穴复合时可以发出可见光，可用于制造发光器件，由于其结构简单，体积小，工作电流小，使用方便，成本低，目前已广泛应用于各种光电系统。 半导体发光二极管包括衬底以及依次沉积在衬底上的P/N型外延层、有源层和P/N型外延层。衬底作为LED这座大厦的地基，具有重要的作用。蓝宝石是ー种常用的LED衬底，但由于其与其上的异相外延层的晶格和热应カ失配，发热后由于膨胀程度不同会崩裂，导致器件损坏。另外一类LED衬底包括GaN, GaAs, InP, InAlGaAs, InAlGaP, InGaAsP等半导体材料。作为衬底的上述半导体材料中一般都会包括各种缺陷，例如位错、间隙或空位等，缺陷会引起晶体应变，应变会造成衬底上外延层的品质及性能降低，导致发光二极管的寿命缩短。多年来，随着半导体技术的发展，经过本领域技术人员的长期研究和实践，形成了较为完善的晶体生长エ艺流程，減少了半导体衬底材料生长过程中形成的缺陷密度。但是，人们还希望得到缺陷密度更低的衬底，制得性能更佳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN基半导体发光二极管，包括依次层叠的衬底、p型接触层、有源层和n型接触层；其特征在于，衬底为GaN，p型接触层为p型AlGaN层，n型接触层为n型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：