【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电器件的制造方法，尤其涉及一种发光二极管的制造方法。
技术介绍
高分子发光二极管具有材料成本低廉，驱动电压低，主动发光，视角宽，能耗低等特点，更有易于大面积成型，发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势，可以广泛应用于高分辨全色平面显示器，也可以应用于聚合物太阳能电池。当在高分子发光二极管两端加上正向偏压，空穴由正极注入到高分子发光层的价带并向负极迁移，电子由负极注入到高分子发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获，复合成激子，激子态的电子发生辐射跃迁，能量以光子形式释放出去，实现电致发光。但是，现有技术中发光二极管仍存在一些缺陷，柔性发光二极管的制备工艺复杂，成本高，制备的发光二极管的发光性能不能满足需要，因此希望研发一种更好性能的有机/高分子发光二极管，效率高，制备工艺简单且成本低。
技术实现思路
本专利技术公开了，该方法制备工艺简单、成本低且制得的发光二极管发光效率高。本专利技术的高分子发光二极管的制造方法包括依次制备衬底、阳极、高分子发光层和阴极，其中，制备所述高分子发光层的方法包括以下步骤:(I)式(II)的聚合物
【技术保护点】
一种高分子发光二极管的制造方法，包括依次制备衬底、阳极、高分子发光层和阴极，其特征在于，制备所述高分子发光层的方法包括以下步骤：(1)式(II)的聚合物在碱性环境下与巯基乙酸甲酯发生环化反应生成式(III)的聚合物(2)式(III)的聚合物与酰卤缩合形成式(IV)的聚合物(3)式(IV)的聚合物经碱去质子化后与碘代物反应得到式(V)的聚合物(4)由(V)的聚合物经Suzuki偶联反应后用强碱皂化得到式(I)的聚合物作为高分子发光层其中，R1选自C1?C12烷基，C2?C12烯基，C2?C12炔基，C6?C14芳基，C3?C12杂环，C3?C18杂芳基烷基，C6?C18芳基烷基或C3?C7环烷基；R2选自氢，C1?C12烷基，C2?C12烯基，C2?C12炔基，C3?C12杂环，C3?C18杂芳基烷基，C6?C18芳基烷基或C3?C7环烷基；R3选自氢，卤素，硝基，?NRaRb，?SO2Rc，?SO2NRdRe，?CONRfRg，?NRhCORi，?NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1?C6烷基或?O?Rl；R4选自氢，卤素，硝基，?NRaRb，?SO2Rc，?SO...
【技术特征摘要】
1.一种高分子发光二极管的制造方法，包括依次制备衬底、阳极、高分子发光层和阴极，其特征在于， 制备所述高分子发光层的方法包括以下步骤: (1)式(II)的聚合物2.按权利要求1所述的高分子 发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(I)中碱性环境是在具有适量的无机碱，优选为二乙胺，三乙胺，二异丙基乙胺，吡啶，喹啉等，或有机碱，如碳酸钾，碳酸钠，碳酸铯，氢氧化钾或氢氧化钠等存在的环境。3.按权利要求1所述的高分子发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(3)中碱选自有机碱，优选为碳酸钾，碳酸钠，碳酸铯，氢氧化钾，氢氧化钠，氢化钠，氢化钾，丁基锂，~■异丙基氣基裡，TK甲基_■娃基胺基裡，TK甲基_■娃基胺基纳或TK甲基_■娃基胺基钟。4.按权利要求1所述的高分子发光二极管的制造方法，其特征在于，所述R1选自C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R2选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R6选自C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基； R1^R6可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe，-CONRfRg, -NRhCORij-NRjSO2Rk,...
【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，吕锁方，顾忠杰，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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