制造有机发光设备的方法技术

一种制造有机发光设备的方法，包括：在具有有机平坦化层的基板上形成抗蚀刻保护层的步骤，在抗蚀刻保护层上形成多个电极的步骤，在具有多个电极的基板上形成有机化合物层的步骤，使用光刻法在形成在多个电极中的部分电极上的有机化合物层上形成抗蚀剂层的步骤，以及通过干蚀刻除去在不覆盖有抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤，其中，在上面执行了直到形成多个电极的步骤的各个步骤的基板上的有机平坦化层的全部表面被覆盖有抗蚀刻保护层和电极这两者中的至少一个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
多色有机发光设备是通过组合具有不同的发光颜色的多个有机发光元件制造而成的发光设备。此处当制造多色有机发光设备时，必需在预定区域内选择性地形成具有不同的发光颜色的多个发光层。为了在预定区域内选择性地形成发射这种预定颜色的发光层而使用了各种方法，并且使用光刻法来把发光层图案化的方法可作为这样的方法之一。在日本专利No. 3839276中提出了以下方法，其中当使用光刻法把含有发光层的有机化合物层图案化时，有机化合物层被干蚀刻以部分地除去不必要的有机化合物层。具体地，首先，第一有机化合物层的膜完全地形成于在上面第一像素电极和第二像素电极以图案形成的基板上。随后，使用光刻法为其中形成第一有机化合物层的部分提供覆盖第一有机化合物层的抗蚀剂层，并且在不覆盖有抗蚀剂层的区域内的第一有机化合物层被通过干蚀刻选择性地除去。随后，第二有机化合物层的膜完全地形成，其中形成第一有机化合物层和第二有机化合物层的部分具有通过光刻法而得的抗蚀剂层，并且在不覆盖有抗蚀剂层的区域内的第二有机化合物层被除去。最后，使用抗蚀剂剥离液把形成在抗蚀剂层上的层剥离，并且共用电极被形成在图案化的第一和第二有机化合物层上。根据上述方法，形成了通过把多个有机化合物层图案化而具有多个有机发光元件的发光设备。当根据日本专利No. 3839276中讨论的方法把有机化合物层图案化时，在某些情况下使用具有用于驱动有机发光元件的配线层和晶体管(Tr)的基板。在这种情况下，在形成像素电极等之前 ，为了把由于Tr和配线层产生的粗糙平滑化和平坦化，必需形成覆盖Tr和配线层的有机平坦化层。如果必要的话在某些情况下，为了把根据像素电极的膜厚度而产生的不平坦度平滑化以及布置每个发光元件的发光区域，在有机平坦化膜上形成覆盖像素电极的边缘的有机像素分离膜。有机平坦化膜以及有机像素分离膜是由与有机化合物层相同的有机材料组成的部件。当通过日本专利No. 3839276中讨论的方法使层图案化时，在其中由有机材料组成的部件被暴露在基板的表面上的情况下，可能出现下述的不便。执行干蚀刻的时间段被调整为使得有机化合物层的膜不残留在被提供在执行干蚀刻的区域内的电极上。具体地，除去有机化合物层所需的时间段是根据有机化合物层的膜厚度以及有机化合物层的蚀刻率而计算出的。执行干蚀刻的时间长于用于除去有机化合物层所需的时间段。有机平坦化层和有机像素分离层的蚀刻率与有机化合物层的蚀刻率是几乎相同的。因此，通过蚀刻把有机化合物层除去后，布置在第一和第二像素电极之间以及显示区域周边的有机平坦化层和有机像素分离层也类似于第一有机化合物层那样被蚀刻。因此，在提供在暴露于蚀刻的区域内的有机平坦化层和有机像素分离膜中产生凹陷，并且在第一有机化合物层和有机平坦化层之间或在第一有机化合物层和像素分离膜之间产生过度的不平坦。如果是这种情况，当形成第二有机化合物层或共用电极的膜时，由于这种过度的不平坦，所以第二有机化合物层或共用电极有时会部分断裂或变薄。第二有机化合物层和共用电极的断裂部分和变薄部分引起有机发光元件的电极之间的短路并且变成电流供应电路内的电阻以导致有机发光设备内的受损的特性。 在日本专利No.3839276中，在使用光刻法把有机化合物层图案化的步骤中使抗蚀剂层显影之后用水清洗基板。在那时，如果由有机材料组成的部件被暴露在基板的表面上，那么水渗入并且被吸收/储存在有机平坦化层和有机像素分离膜内。因此，要花很长时间使部件脱水，并且在使用发光设备时残留的水泄漏从而使有机发光元件的特性降低。
技术实现思路
本专利技术针对获得具有良好发光特性的有机发光设备的有机发光设备制造方法。根据本专利技术的一方面，一种在具有有机平坦化层的基板上制造发光设备的方法，该发光设备包括多个有机发光元件，每个有机发光元件包括包含至少发光层的有机化合物层以及把载流子提供到该有机化合物层的电极，该方法包括在具有有机平坦化层的基板上形成抗蚀刻保护层的步骤，在抗蚀刻保护层上形成多个电极的步骤，在具有多个电极的基板上形成有机化合物层的步骤，使用光刻法在形成在多个电极中的部分电极上的有机化合物层上形成抗蚀剂层的步骤，以及通过干蚀刻除去在不覆盖有抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤，其中，在上面执行了直到形成多个电极的步骤的各个步骤的基板上的有机平坦化层的全部表面被覆盖有抗蚀刻保护层和电极这两者中的至少一个。在根据本专利技术的示例实施例的制造方法中，在有机发光设备(其中至少有机平坦化层被提供在晶体管和配线的上部中)中，当使用光刻法和干蚀刻来执行图案化时，在有机平坦化层上要被蚀刻的区域中的不平坦度减小。这使得能够减少共用电极断裂以及可能发生在共用电极和像素电极之间的漏电/短路。此外，通过用抗蚀刻保护层或下部电极这两者中的至少一个来覆盖有机平坦化层的表面，可以当通过光刻法把有机化合物层图案化时防止水渗透到有机平坦化层中。因此，能够防止在容易吸收和储存水的有机平坦化膜中吸收和储存的水在元件完成之后渗漏并使有机发光元件劣化。因此，根据本专利技术的示例实施例，可以提供用于获得具有良好发光特性的有机发光设备的有机发光设备制造方法。根据参照附图对示例性实施例的以下详细描述，本专利技术的更多特征和方面将变得清楚。附图说明包含于说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出本专利技术的示例实施例、特征以及方面，并且连同描述一起用于解释本专利技术的原理。图1A、1B和IC是示出形成和处理第一有机化合物层的膜的步骤的具体示例的示意截面图。图2A、2B和2C是示出形成和处理第二有机化合物层的膜的步骤以及处理共用电极的步骤的具体示例的示意截面图。图3A、3B、3C以及3D是示出抗蚀刻保护层的放置形态的其他具体示例的示意截面图。图4A、4B和4C是示出当在不提供抗蚀刻保护层的情况下处理第一有机化合物层时的外观的示意截面图。图5六、58、5(、50、5￡、5 、56、511、51、51、51(、51和51是示出制造示例 I 中的有机发光设备的处理的示意截面图。图6A和6B是示出在示例I中的有机平坦化层、抗蚀刻保护层以及像素电极的放置形态的具体示例的示意截面图。具体实施例方式以下将参照附图对本专利技术的各种示例实施例、特征以及各方面进行详细描述。·本专利技术的示例实施例即制造以下有机发光设备的方法在该有机发光设备中有机平坦化层、多个第一像素以及多个第二像素被提供在基板上。此处，第一像素包括由第一下部电极、具有至少发光层的第一有机化合物层以及第一上部电极组成的第一有机发光元件。第二像素包括由第二下部电极、具有至少发光层的第二有机化合物层以及第二上部电极组成的第二有机发光元件。第一有机化合物层和第二有机化合物层相互不同，并且本示例实施例中的有机化合物层包括至少发光层。更具体地，本示例实施例中的有机化合物层包含由一个或更多个发光层组成的情况或者包含由除了这种发光层以外还包括一个或更多其他层(由电子注入层、电子输送层、空穴注入层、空穴输送层等组成)的多个层的叠层体组成的情况。相互“不同的有机化合物层”是指这样的有机化合物层即在发光层的材料、组成以及膜厚度，当发光层形成时的膜形成方法以及膜形成条件，发光层以外的其他层的材料、组成以及膜厚度，当其他层形成时的膜形成方法以及膜形成条件中的至少一个中互异的有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在具有有机平坦化层的基板上制造发光设备的方法，该发光设备包括多个有机发光元件，每个有机发光元件包括：包含至少发光层的有机化合物层以及把载流子提供给该有机化合物层的电极，所述方法包括：在具有有机平坦化层的基板上形成抗蚀刻保护层的步骤；在抗蚀刻保护层上形成多个电极的步骤；在具有所述多个电极的基板上形成有机化合物层的步骤；使用光刻法在形成于所述多个电极中的部分电极上的有机化合物层上形成抗蚀剂层的步骤；以及通过干蚀刻除去在不覆盖有抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤，其中，在上面执行了直到形成多个电极的步骤的各个步骤的基板上的有机平坦化层的全部表面被覆盖有抗蚀刻保护层和电极这两者中的至少一个。

【技术特征摘要】
2011.09.30 JP 2011-217662;2012.08.31 JP 2012-19171.一种在具有有机平坦化层的基板上制造发光设备的方法，该发光设备包括多个有机发光元件，每个有机发光元件包括包含至少发光层的有机化合物层以及把载流子提供给该有机化合物层的电极，所述方法包括 在具有有机平坦化层的基板上形成抗蚀刻保护层的步骤； 在抗蚀刻保护层上形成多个电极的步骤； 在具有所述多个电极的基板上形成有机化合物层的步骤； 使用光刻法在形成于所述多个电极中的部分电极上的有机化合物层上形成抗蚀剂层的步骤；以及 通过干蚀刻除去在不覆盖有抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤， 其中，在上面执行了直到形成多个电极的步骤的各个步骤的基板上的有机平坦化层的全部表面被覆盖有抗蚀刻保护层和电极这两者中的至少一个。2.根据权利要求1的方法，其中，抗蚀刻保护层由蚀刻率小于在通过干蚀刻除去有机化合物层的步骤中的有机化合物层的蚀刻率的材料形成。3.根据权利要求1的方法，其中，抗蚀刻保护层由绝缘无机材料形成。4.根据权利要求3的方法，其中，抗蚀刻保护层由氮化硅或氧化硅形成。5.根据权利要求1的方法，还包括在形成抗蚀刻保护层的步骤之前把有机平坦化层脱水的步骤。6.根据权利要求1的方法，还包括 在形成抗蚀刻保护层的步骤之后并且在形成多个电极的步骤之前，在有机平坦化层和抗蚀刻保护层中形成接触孔的步骤；以及 在形成接触孔的步骤之后并且在形成多个电极的步骤之前，把有机平坦化层脱水的步骤。7.根据权利要求1的方法，其中，使用光刻法形成抗蚀剂层的步骤包括在有机化合物层上形成保护层的步骤以及在保护层上形成抗蚀剂层的步骤，以及 其中，通过干蚀刻除去有机化合物层的步骤包括除去不具有抗蚀剂层的区域中的保护层的步骤。8.根据权利要求7的方法，其中，保护层是这样的层在该层中从有机化合物层的一侧层叠由水溶性聚合物材料组成的层以及由无机材料组成的层。9.一种在具有有机平坦化层的基板上制造发光设备的方法，该发光设备包括多个有机发光元件，每个有机发光元件包括包含至少发光层的有机化合物层以及把载流子提供给该有机化合物层的电极，所述方法包括 在具有有机平坦化层的基板上形成多个电极的步骤； 形成覆盖多个电极的边缘的有机像素分离膜的步骤； 在有机像素分离膜和有机平坦化层上形成抗蚀刻保护层的步骤； 在多个电极上形成有机化合物层的步骤； 使用光刻法在形成于多个电极中的部分电极上的有机化合物层上形成抗蚀剂层的步骤；以及 通过干蚀刻除去在不覆盖有抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤， 其中，在上面执行了直到形成抗蚀刻保护层的步骤的各个步骤的基板上的有机平坦化层和有机像素分离膜的全部表面被覆盖有抗蚀刻保护层和电极这两者中的至少一个。10.根据权利要求9的方法，其中，抗蚀刻保护层由蚀刻率小于在通过干蚀刻除去有机化合物层的步骤中的有机化合物层的蚀刻率的材料形成。11.根据权利要求9的方法，其中，抗蚀刻保护层由绝缘无机材料形成。12.根据权利要求11的方法，其中，抗蚀刻保护层由氮化硅或氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚学，广木知之，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：