改进的发光设备和方法技术

本发明专利技术公开了发光设备和方法。在一种实施方式中，发光设备可包括基台和设置在基台上的发光区。发光区可包括一个或多个发光二极管(LED)、至少部分地设置在一个或多个LED周围的嵌条以及填充材料。填充材料可设置在一个或多个LED的一部分以及嵌条的一部分上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开了发光设备和方法。在一种实施方式中，发光设备可包括基台和设置在基台上的发光区。发光区可包括一个或多个发光二极管(LED)、至少部分地设置在一个或多个LED周围的嵌条以及填充材料。填充材料可设置在一个或多个LED的一部分以及嵌条的一部分上。【专利说明】 相关申请的交叉引用 本申请要求于2012年2月13日提交的美国临时专利申请序号61/598, 171和于 2012年3月30日提交的美国部分继续专利申请序号13/435, 912的优先权，将其全部内容 通过引用结合于此。
本文中所公开的主题整体涉及发光设备和方法。更具体地，本文中所公开的主题 涉及通过增强的反射率和更加均匀的密封剂而具有增强的亮度的发光设备和方法。
技术介绍
在用于提供白光（例如，感知为白色或接近白色）的封装件中可利用发光二极管 (LED)芯片或LED，并且发光二极管（LED)芯片或LED作为白炽灯、荧光灯以及卤化金属高 强度气体放电（HID)灯产品的替代品正在发展。LED设备的代表性实例包括具有一个LED 芯片的设备，其一部分可涂敷有荧光体（phosphor)，诸如，钇铝石榴石（YAG)。荧光体涂层 可将从一个或多个LED芯片发射的光转换成白光。例如，LED芯片可发射具有期望波长的 光，并且荧光体反过来可发射具有约550nm峰值波长的黄色荧光。观察者将光发射的混合 物感知为白光。作为转换白光的荧光体的替代品，在一个设备或封装件中可组合红色、绿色 和蓝色（EGB)波长的发光设备以产生被感知为白色的光。 尽管市场上可获得各种发光设备和方法，然而，仍然需要更明亮的设备。一方面， 可通过减少在设备密封过程中产生的缺陷来实现更明亮的设备。本文中所描述的发光设备 和方法可有利地增强光输出性能，同时促进制造的容易度。
技术实现思路
根据本公开，提供了非常适用于包括工业和商用照明产品的各种应用的新型发光 设备和方法。因此，本文中的本公开的目标是通过部分增强设备内的反射率来提供改进的 并且更加明亮的发光设备。本公开的另一目标是减少设备内的影像光的缺陷的出现，并且 提供更加均匀的密封剂。 可从本文中的公开内容变得显而易见的本公开的这些目标和其他目标至少全部 或部分地通过本文所公开的主题内容来实现。 【专利附图】【附图说明】 参照附图，在说明书的其余部分中更加具体地阐述包括对本领域普通技术人员而 言为最佳模式的本主题的完整并使其能实现的公开内容，其中： 图1是根据本文中的公开内容的发光设备的实施方式的顶部透视图； 图2是根据本文中的公开内容的发光设备的实施方式的侧视图； 图3A和图3B是根据本文中的公开内容的具有一个或多个发光二极管（LED)的图 案的发光设备的实施方式的顶视图； 图4是根据本文中的公开内容的具有一个或多个LED的图案的发光设备的实施方 式的顶部透视图； 图5是根据本文中的公开内容的发光设备的实施方式的顶视图； 图6是根据本文中的公开内容的发光设备的发光区的第一截面图； 图7是根据本文中的公开内容的发光设备的发光区的第二截面图； 图8是根据本文中的公开内容的发光设备的顶视图； 图9是根据本文中的公开内容的发光设备的间隙区（gap area)的截面图； 图10是根据本文中的公开内容的发光设备的顶视图； 图11至图14B是根据本文中的公开内容的具有一个或多个LED的图案的发光设 备的实施方式的顶视图； 图15A和图15B是根据本文中的公开内容的用于LED设备的管芯附接（die attach)技术的示图； 图16至图18是根据本文中的公开内容的发光设备的截面图；以及 图19是根据本文中的公开内容的发光设备的顶视图。 【具体实施方式】 现将详细参考本文中的主题的可能方面或实施方式，图中示出了本公开的一个或 多个实例。提供各种实例来说明主题而不是作为限制。事实上，作为一种实施方式的一部 分所不出或描述的特征可用于另一种实施方式以产生又一种实施方式。本公开中所公开和 预见的主题旨在覆盖这些修改和变更。 如在各个附图中所示出的，出于说明性的目的，相对于其他结构或部分放大了某 些结构或部分的尺寸，并且因此，某些结构或部分的尺寸被设置为示出本主题的整体结构。 而且，参考形成在其他结构、部分或两者中的结构或部分描述了本主题的各个方面。本领域 技术人员将认识到，参考形成"在"另一结构或部分"上"或"上方"的结构预期可能存在另 外的结构、中间部分或这两者。在没有中间结构或部分的情况下形成"在"另一结构或部分 "上"的结构或部分在本公开中被描述为"直接"形成"在"该结构或部分"上"。同样，将认 识到，当元件被称为"连接"、"附接"或"耦接"至另一元件时，其可直接连接、附接或耦接至 另一元件，或者可存在中间元件。相反，当元件被称为"直接连接"、"直接附接"或者"直接 耦接"至另一元件时，则不存在中间元件。 而且，在本文中使用诸如"在…上"、"在…上方"、"上部"、"顶部"、"下部"或"底部" 等的相对术语来描述如图中所示的一个结构或部分于另一结构或部分的关系。将理解，诸 如"在…上"、"在…上方"、"上部"、"顶部"、"下部"或"底部"等的相对术语旨在包括除图中 所描绘的方位之外的设备的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为"在"其他 结构或部分"上方"的结构或部分将被定位"在"其他结构或部分"下方"。同样，如果图中 的设备沿着轴旋转，则被描述为"在"其他结构或部分"上方"的结构或部分将被定位成"田比 邻"其他结构或部分或者在其他结构或部分"的左侧"。类似的标号指代遍及全文的类似元 件。 根据本文中所描述的实施方式的发光设备可包括在生长基板（例如，碳化硅基 板）上制作的基于第III-V族氮化物（例如，氮化镓）的发光二极管（LED)或激光器，诸如， 由Cree, Inc. (Durham,North Carolina)制造和出售的设备。例如，本文中所讨论的碳化娃 (SiC)基板/层可以是4H多型体碳化硅基板/层。然而，可使用诸如3C、6H和15R多型体 的其他碳化娃备选多型体。从本主题的受让人（assignee)Cree, Inc. (Durham，N.C)可获得 适当的SiC基板，并且在科学文献以及很多共同转让的美国专利（包括但不限于美国专利 No. Re. 34, 861、美国专利No. 4, 946, 547以及美国专利No. 5, 200, 022)中阐述了用于生产这 种基板的方法，通过引用将其全部公开内容结合于此。本文中预期了任何其他合适的生长 基板。例如，蓝宝石和碘化钾可被用作用于制造本文中所描述的LED或激光器的生长基板。 如在本文中使用的，术语"第III族氮化物"是指氮与周期表的第III族中的一 个或多个元素之间形成的半导体化合物，通常为铝（A1)、镓（Ga)和铟（In)。术语还指诸 如GaN、AlGaN和AlInGaN的二元、三元和四元化合物。第III族元素可与氮结合以形成二 元化合物（例如，GaN)、三元化合物（例如，AlGaN)和四元化合物（例如，AlInGaN)。这 些化合物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光设备，包括：基台；发光区，设置在所述基台上；以及嵌条，至少部分地设置在所述发光区周围。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克勒斯托弗·P·胡赛尔，
申请(专利权)人：克利公司，
类型：发明
国别省市：美国;US