发光设备和方法技术

本发明专利技术涉及一种供较高电压应用中使用的例如发光二极管(LED)的发光设备和方法。本文公开了LED的不同布置。布置可以包括一个或多个串联、并联和/或其组合地连接的LED芯片。LED芯片可以设置在具有至少一个热构件和一个或多个电部件的封装本体中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所公开的主题通常涉及。更特别是，本文公开的主题涉及供较高电压应用使用的。
技术介绍
例如发光二极管(LED)的发光设备可以用在产品中来提供白色光(例如，观察时为白色或者接近白色)，并且可以开发来用作白炽灯、荧光灯和金属卤化物灯产品的替换。·LED灯的一代表性实例包括具有至少一个LED芯片的封装，其一部分可以以例如钇铝石榴石(YAG)的荧光物质镀覆。LED芯片可以在LED灯内部产生要求波长的辐射，并且荧光物质进而可以在接收所述辐射时发射峰值波长为大约550纳米(nm)的黄色荧光。来自LED芯片的至少一部分辐射可以通过荧光物质传播，并且至少一部分可以被荧光物质吸收。通过荧光物质传播的那部分光与由荧光物质发射的黄色光混合，并且观察者察觉到光辐射的混合为白色光。作为对荧光物质转换的白色光的替代，可以组合来操作红、蓝和绿(RGB)发光设备来产生看起来为白色的光。产生白色光的传统的LED、封装和方法可以设计成用于低压应用。虽然可以在市场上获得各种LED封装，但是仍然存在对适用于例如那些应用较高电压以增强光输出性能、增强热性能、提高设备可靠性和提升制造容易性的改进的封装的需求。
技术实现思路
根据本公开内容，提供了新颖的，其能够适合于不同的应用和电技术要求。因此，本文所公开的主题的目的是提供包括提高了在较高电压应用中的可靠性的。可以通过本文所描述的主题至少全部或者部分地实现可从本文的公开内容显而易见地得到的本公开的所述及其他目的。附图说明在说明书的其余部分中更具体地阐述了包括对于本领域普通技术人员来说为其最佳方式的、本文所公开的主题的充分且能公开的内容，包括参照附图，其中图I图解了根据本主题的一方面的发光二极管(LED)封装和LEDs的透视顶视图；图2图解了根据本文主题的一方面的LED封装的部件的透视图3图解了图2中所示的LED部件的端视图；图4图解了根据本文主题的一方面的LED封装的透视底视图；图5图解了图I中所示的LED封装的顶部平面图；图6图解了根据本文主题的一方面的LEDs的顶部平面图；图7图解了根据本文主题的一方面的LEDs的顶部平面图；图8图解了根据本文主题的一方面的LEDs的顶部平面图；图9图解了根据本文主题的一方面的LED封装的侧视图； 图10图解了根据本文主题的一方面的LED封装的横剖面视图；图IlA和IlB图解了根据本文主题的一方面的LED封装；以及图12A和12B图解了根据本文主题的一方面的LED封装。具体实施例方式现在将详细参照本文主题的可能方面或者实施例，图中示出了其中的一个或多个实例。提供每个实例来说明所述主题并且不起限制作用。实际上，可以在另一个实施例中使用图解或者描述为一个方面或者实施例的一部分特征，以便还产出另一实施例。本文所公开并设想的主题意在覆盖所述改进和变化。如在各个图中所图解的，为了说明目的，结构或者部分的某些尺寸相对于其他结构或者部分被放大了并且提供来图解本文所公开的主题的一般结构。此外，参照形成在其他结构、部分或者两者上的一结构或者部分来描述了本文所公开主题的各个方面。本领域的技术人员将意识到，参照形成于另一结构或者部分“上”或者“上方”的一结构意在可以介入另外的结构、部分或者两者。参见没有介入结构或者部分地形成于另一结构或者部分上的一结构或者部分在本文被描述成“直接”形成在所述结构或者部分上。类似地，应当理解，当构件被称为“连接”、“附连”或者“联接”到另一构件上时，其可以直接连接、附连或者联接到另一构件上，或者可以提供介入构件(intervening elements)。相反，当构件被称为“直接连接”、“直接附连”或者“直接联接”到另一构件上，则没有提供介入构件。此外，本文使用例如“上”、“上方”、“上部”、“顶部”、“下部”或者“底部”的相对术语来描述如图中所示的一个结构或者部分与另一个结构或者部分的关系。应当理解，例如“上”、“上方”、“上部”、“顶部”、“下部”或者“底部”的相对术语意在包含除了图中所描绘的定向之外设备的不同定向。例如，如果颠倒图中的设备，则被描述为其他结构或者部分"上方"的结构或者部分现在定位在其他结构或者部分的“下方”。同样地，如果沿轴线转动图中的设备，则被描述为其他结构或者部分“上方”的结构或者部分现在“紧邻”其他结构或部分或者在其“左边”定位。相似的附图标记自始至终涉及相似构件。根据本文描述的实施例的发光设备可以包括基于制造在碳化硅基底上的发光二极管(LEDs)或者激光器的III-V族氮化物(例如，氮化镓)，例如由美国北卡罗来纳州达拉谟的Cree公司所制造和销售的那些设备。例如，本文所论述的碳化硅(SiC)基底/层可以是4H多型碳化硅基底/层。然而，可以使用例如3C、6H和15R多型的其他的碳化硅候选多型。可以从本文主题的受让人的美国北卡罗来纳州达拉谟的Cree公司处获得合适的SiC基底，并且在科学文献以及在包括但不限于美国专利号Re. 34，861 ;美国专利号4，946，547 ；和美国专利号5，200, 022的许多共同转让的美国专利中阐述了用于生产这种基底的方法，在此以引用的方式加入它们的全部内容。如本文所使用的，术语“III族氮化物”是指形成于氮和元素周期表的III族中的一种或多种元素之间的半导体化合物，所述元素通常为铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)。所述术语还指例如GaN、AlGaN和AlInGaN的二元、三元和四元化合物。III族元素可以与氮结合以形成二元(例如，GaN)、三元(例如，AlGaN)和四元(例如，AlInGaN)化合物。所述化合物具有其中一摩尔氮与总共一摩尔III族元素结合的经验式。因此，经常使用例如AlxGal-xN(其中1>χ>0)的化学式来描述所述化合物。已经相当好地研发了关于III族氮化物的外延生长的技术并且在合适的科学文献中报告了，并且在包括美国专利号5，210，051 ；美国专利号5，393，993 ;和美国专利号5，523，589的共同转让的美国专利中报告了，在此以弓I用的方式加入它们的全部内容。虽然本文中所公开的LEDs的各个实施例可以包括基底，但是本领域普通技术人员应当认识到，可以移除其上生长出包括LED的外延层的晶状外延生长基底，并且可以在置换载体基底或者次安放层上安放独立式的外延层，其可以比原始的基底具有更好的热、电、结构和/或光学特性。本文所公开的主题不限于具有晶状外延生长基底的结构并且可·以与其中已经从其原始生长基底上移除外延层并粘结(bonded)到置换载体基底上的结构结合使用。例如，根据本主题的某些实施例的III族氮化物基的LEDs可以制造在生长基底(例如，碳化硅基底)上以提供水平设备(在LED的同一侧上具有两个电触点)或者竖直设备(在LED的相反侧上具有电触点)。此外，生长基底可以在制造或者移除(例如，通过蚀刻、研磨、抛光等)之后保持在LED上。例如，可以移除生长基底以减小所得到的LED的厚度和/或减小通过竖直LED的正向电压。例如可以将水平设备(有或者没有生长基底)倒装芯片(flip chip)结合(例如，使用焊料)或者丝焊到载体基底或者印刷电路板上。竖直设备(没有或者没有生长基底)可以具有结合到载体基底或者印刷电路板上的第一终端焊料和结合到载体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·P·胡塞尔，D·T·埃默森，J·C·布里特，
申请(专利权)人：科锐公司，
类型：
国别省市：