发光设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种发光设备。该发光设备包括：n型氮化物半导体层；设置在n型氮化物半导体层上的活性层；设置在活性层上的p型氮化物半导体层；以及设置在p型氮化物半导体层上的扩散阻挡层。根据本实用新型专利技术的实施例，能够阻止Mg的外部扩散，并且能够提供一种包括具有低接触电阻且因此低的正向电压和高发光效率的p型氮化物半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】发光设备本专利文件要求2014年5月20日提交的第10-2014-0060231号韩国专利申请、2014年9月26日提交的第10-2014-0129305号韩国专利申请及2014年12月30日提交的第10-2014-0193540号韩国专利申请的优先权及权益，且这些文献的内容以参考方式被结入口 ο
本专利文件涉及发光设备及其制造方法。在示例性实施例中，提供了一种生长具有低的表面接触电阻的P型氮化物半导体的方法，并且提供了一种利用所述方法制造的发光设备。
技术介绍
诸如GaN的氮化物半导体具有优秀的电磁特性，且被广泛用于诸如发光二极管的发光设备。使用P-N结的氮化物半导体设备(诸如发光二极管)包括P型半导体层和η型半导体层。此时，P型半导体层和η型半导体层中的每一个均掺杂有导电类型确定杂质，诸如Mg和Si。通常，利用氮化物半导体的发光设备通过在生长衬底上生长η型氮化物半导体层、活性层和P型氮化物半导体层来形成。在生长发光二极管的过程中，通过将111族元素、V族元素及杂质前驱物(诸如Mg)引入生长腔来生长P型氮化物半导体层。此时，Mg替代III族元素的位置，使得氮化物半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光设备，其特征在于，所述发光设备包括：n型氮化物半导体层；设置在n型氮化物半导体层上的活性层；设置在活性层上的p型氮化物半导体层；以及设置在p型氮化物半导体层上的扩散阻挡层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金玟奎，郑廷桓，金景海，郭雨澈，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR