有机电致发光显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种有机电致发光显示装置的制造方法。提供使得能够制造抑制显示故障的高分辨率有机电致发光显示装置的有机电致发光显示装置的制造方法。有机电致发光显示装置的制造方法包括各自包含至少包含发光层的有机化合物层的多个有机电致发光元件，该方法包括：在基板上形成有机化合物层；在有机化合物层上依次形成中间层和抗蚀剂层；通过光刻方法去除抗蚀剂层的一部分；和通过干式蚀刻选择性地去除抗蚀剂层的所述一部分被去除了的区域中的中间层和有机化合物层，遮光层具有阻挡具有大于或等于190nm且小于或等于360nm的波长的光的功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光(EL)显示装置的制造方法。
技术介绍
作为有机EL显示装置的部件的有机EL元件包含依次层叠于基板上的作为下电极形成的第一电极、由有机化合物制成并至少包含发光层的叠层结构(有机化合物)和作为上电极形成的第二电极。在这种情况下，形成有机EL元件的发光层通过使用例如通过阴影掩模执行的蒸镀 方法、通过喷墨的选择涂敷方法或光刻方法形成为期望的图案。在这些方法中，当使用光刻方法时，为了针对包含光致抗蚀剂的溶液保护发光层，在抗蚀剂层与发光层之间形成中间层。注意，在抗蚀剂层被构图之后，中间层与有机发光层一起经受干式蚀刻以被加工(部分去除)。顺便说一句，当使用光刻方法时，发光层在光致抗蚀剂被构图时被紫外线照射，并且在中间层和发光层经受干式蚀刻时被等离子体光照射。此时，包含于紫外线和等离子体光中的短波长光会导致形成发光层的材料的诸如劣化或再结合的反应，这会导致发光层的诸如结构变化的损伤。当发光层由于紫外线和等离子体光受损时，有机EL元件的发光效率会降低并且其耐久性会劣化。因此，对于针对紫外线和等离子体光的发光层保护，常规上提出了各种提案。例如，在日本专利No. 4507759中，提出了在通过光刻方法将发光层构图的情况下中间层形成为包含光吸收材料以使得所述光吸收材料吸收紫外线和等离子体光的方法。顺便说一句，在日本专利No. 4507759中，作为用于中间层的具体的构成材料，使用水溶性聚合物。但是，作为要添加到由水溶性聚合物制成的中间层的光吸收材料的无机颜料由金属氧化物或金属的盐等制成，并且具有耐受O2气体蚀刻的性能。因此，作为光吸收材料添加的无机颜料具有比经受O2气体蚀刻的水溶性聚合物的蚀刻速率小的蚀刻速率，由此无机颜料难以受到与水溶性聚合物的一并蚀刻。结果，当执行O2气体的干式蚀刻时，无机颜料残留为残渣，这可导致第一电极与第二电极之间的短路。因此，在一些情况下出现显示故障。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述的问题而提出的，并因此具有提供使得能够制造抑制显示故障的高分辨有机EL显示装置的有机EL显示装置的制造方法的目的。根据本专利技术的示例性实施例，提供一种包括各自包含至少包含发光层的有机化合物层的多个有机电致发光元件的，该方法包括在基板上形成有机化合物层；在有机化合物层上依次形成中间层和抗蚀剂层；通过光刻方法去除抗蚀剂层的一部分；和通过干式蚀刻选择性地去除抗蚀剂层的所述一部分被去除了的区域中的中间层和有机化合物层，其中，中间层至少包含遮光层，并且，遮光层具有阻挡具有大于或等于190nm且小于或等于360nm的波长的光的功能。根据本专利技术的制造方法，能够抑制由于在曝光或干式蚀刻时施加的紫外光导致的对于包含发光层的有机化合物层的损伤，并进一步实现不产生光吸收材料的残渣的构图。这样，能够制造抑制显示故障的高分辨率有机EL显示装置。因此，根据本专利技术，能够提供使得能够制造抑制显示故障的高分辨有机EL显示装置的有机EL显示装置的制造方法。从参照附图对示例性实施例的以下描述，本专利技术的其它特征将变得清晰。附图说明图1是示出要通过根据本专利技术的有机EL显示装置的制造方法制造的有机EL显示装置的例子的示意性截面图。图2A、图 2B、图 2C、图 2D、图 2E、图 2F、图 2G、图 2H、图 21、图 2J、图 2K、图 2L、图 2M和图2N是示出图1所示的有机EL显示装置的制造步骤的示意性截面图。具体实施例方式根据本专利技术的有机EL显示装置的制造方法包括形成第一电极的步骤、形成包含发光层的有机化合物层的步骤、形成中间层的步骤、形成光致抗蚀剂层的图案的步骤、加工中间层的步骤和加工有机化合物层的步骤。在根据本专利技术的有机EL显示装置的制造方法中，加工有机化合物层的步骤是去除在形成光致抗蚀剂层的图案的步骤中去除了光致抗蚀剂层的区域中的有机化合物层的步骤。并且，在根据本专利技术的有机EL显示装置的制造方法中，加工中间层的步骤是去除在形成光致抗蚀剂层的图案的步骤中去除了光致抗蚀剂层的区域中的中间层的步骤。并且，在根据本专利技术的有机EL显示装置的制造方法中，要形成的中间层是由至少包含遮光层和剥离层的多个层形成的叠层体。在这种情况下，包含于中间层中的遮光层具有阻挡具有至少190nm或更大且小于或等于360nm的波长的光的功能。当通过光刻方法执行高分辨率构图时，使用发射短波长光的曝光光源。作为有机物的主骨架的C (碳)-C键具有约3. 50eV的键能，并且，约360nm的波长具有3. 50eV的光子能量。因此，当向发光层施加具有360nm或更短的波长的光时，会出现形成发光层的材料的诸如劣化和再结合的反应，这会导致发光层的结构变化。为了解决该问题，在本申请的专利技术中，遮光层被设置为阻挡在工艺中向发光层施加的光中的具有360nm或更短的波长的光，并因此防止发光层在工艺中受损。以下，参照附图描述根据本专利技术的实施例的有机EL显示装置的制造方法。注意，可对于没有在本说明书或附图中特别描述或示出的部分应用现有技术的已知或公知的技术。并且，以下描述的实施例仅是本专利技术的实施例的一个具体的例子，并且，本专利技术不限于实施例。图1是示出通过根据本专利技术的有机EL显示装置的制造方法制造的有机EL显示装置的例子的示意截面图。图1的有机EL显示装置I包括三种类型的子像素，具体而言，包括蓝色子像素2B、绿色子像素2G和红色子像素2R。但是，在本专利技术中，子像素的类型不限于图1所示的三种类型。注意，图1示出对于各类型包括一个子像素(2B、2G和2R)的有机EL显示装置1，但是，图1的有机EL显示装置I实际上对于各类型包括多个子像素(2B、2G和2R)。并且，在图1的有机EL显示装置I中，子像素(2B、2G和2R)中的每一个的集合形成像素。多个像素基于预定的布置规则被布置，并由此形成图1的有机EL显示装置I。包含于图1的有机EL显示装置I中的子像素(2B、2G和2R)中的每一个包含有机EL元件。注意，有机EL元件是包含依次层叠于基板10上的第一电极11、有机化合物层12、电子注入传输层13和第二电极14的电子元件。注意，在图1的有机EL显示装置I中，第一电极11是单独对于各子像素设置的电极。即，蓝色子像素2B、绿色子像素2G和红色子像素2R分别包含第一电极11a、第一电极Ilb和第一电极11c。并且，在图1的有机EL显示装置I中，根据子像素(2B、2G和2R)的类型，有机化合物层12被分类为蓝色有机化合物层12B、绿色有机化合物层12G和红色有机化合物层12R。在这种情况下，蓝色有机化合物层12B、绿色有机化合物层12G和红色有机化合物层12R分别表不由具有435nm 480nm、500nm 560nm和610nm 750nm的范围中的发光波长的发光材料制成的有机化合物层。注意，这里的发光波长指的是要从各发光材料发射的发光谱的最大波长。图2A 2N是示出图1的有机EL显示装置的制造步骤的示意性截面图。以下,参照图2A 2N描述根据本专利技术的实施例的制造方法。(基板)当基于本专利技术制造方法制造有机EL显示装置时，基板10不被特别限定，但要求基板使得能够稳定地制造有机EL显示装置并且不影响有机EL显示装置的驱动。例如，适当地使用诸如玻璃和Si晶片的绝缘基板。注意，在本专利技术中，在作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光显示装置的制造方法，所述有机电致发光显示装置包括多个有机电致发光元件，所述多个有机电致发光元件各自包含有机化合物层，所述有机化合物层至少包含发光层，该方法包括：在基板上形成有机化合物层；在所述有机化合物层上依次形成中间层和抗蚀剂层；通过光刻方法去除抗蚀剂层的一部分；以及通过干式蚀刻选择性地去除抗蚀剂层的所述一部分被去除了的区域中的中间层和有机化合物层，其中，中间层至少包含遮光层，并且，遮光层具有阻挡具有大于或等于190nm且小于或等于360nm的波长的光的功能。

【技术特征摘要】
2011.09.30 JP 2011-217678;2012.08.31 JP 2012-19171.一种有机电致发光显示装置的制造方法，所述有机电致发光显示装置包括多个有机电致发光元件，所述多个有机电致发光元件各自包含有机化合物层，所述有机化合物层至少包含发光层，该方法包括 在基板上形成有机化合物层； 在所述有机化合物层上依次形成中间层和抗蚀剂层； 通过光刻方法去除抗蚀剂层的一部分；以及 通过干式蚀刻选择性地去除抗蚀剂层的所述一部分被去除了的区域中的中间层和有机化合物层， 其中，中间层至少包含遮光层，并且，遮光层具有阻挡具有大于或等于190nm且小于或等于360nm的波长的光的功能。2.根据权利要求1所述的方法，其中，遮光层被设为关于具有190nm 360nm的波长的光具有5%或更小的透射率。3.根据权利要求1所述的方法，其中，遮光层具有多个层的叠层构造。4.根据权利要求1所述的方法，其中，遮光层包含由氮化硅制成的膜，并且具有2μ m或更大的厚度。5.根据权利要求1所述的方法， 其中，除了遮光层以外，中间层包含剥离层， 其中，剥离层被设...

【专利技术属性】
技术研发人员：由徳大介，佐藤信彦，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：