有机发光二极管显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。在有机发光二极管（OLED）显示装置及其制造方法中，通过光刻处理对OLED像素进行图案化，因此能够执行大面积图案化并且能够获得精细间距，并且能够通过在有机化合物层的上部分上形成金属氧化物的缓冲层或者通过使用阴极作为掩模来对有机化合物层进行图案化来保护有机化合物层，从而改进了装置效率。另外，在红、绿和蓝像素中，通过剥离处理对两种像素进行图案化，并且剩余的一种像素被沉积以在没有图案化的情况下形成，从而能够简化工艺并且能够增加效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法，并且更具体地，涉及其中通过光刻工艺对OLED像素进行图案化的OLED显示装置及其制造方法。
技术介绍
近来，随着对于信息显示器的兴趣的增加并且对于便携式信息媒体的使用的要求也日益增加，已经积极地对替代作为现有显示装置的阴极射线管(CRT)的重量轻的平板显示器(FPD)进行了研究和商业化。 在Fro领域中，更轻并且功耗更小的液晶显示(IXD)装置已经成为关注的焦点；然而，由于LCD装置是光接收装置，而不是发光装置，因此，具有亮度、对比度以及视角等等方面的缺点，因此已经积极地对可以克服这样的缺点的新型显示装置进行了开发。作为新型显示装置之一的LED显示装置是自发光型装置，其因此在视角和对比度方面表现更优异，并且由于不需要背光而更轻、更薄，并且与LCD装置相比，在功耗方面具有优点。另外，OLED显示装置能够由DC在较低的电压来驱动，具有更快的响应速度，并且在制造成本方面特别具有优势。与IXD装置或等离子显示面板(PDP)不同的是，沉积和包封是OLED显示装置的制造工艺的全部，因此制造工艺非常简单。而且，当根据其中每个像素具有薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的主动矩阵方案驱动OLED显示装置时，虽然施加了较低的电流但是能够获得相同的亮度，因此，有利的是，OLED显示装置的能耗更低，具有高间距(或高清晰度或高分辨率)，并且尺寸能够更大。下面将参考附图详细描述OLED显示装置的基本结构和操作特性。图1是示出一般的OLED显示装置的发光原理的图。如图1中所示，一般的OLED显示装置包括0LED。该OLED包括形成在作为像素电极的阳极18与作为公共电极的阴极28之间的有机化合物层30a、30b、30c、30d和30e。这里，有机化合物层30a、30b、30c、30d和30e包括空穴注入层30a、空穴传输层30b、发光层30c、电子传输层30d和电子注入层30e。当驱动电压被施加到阳极18和阴极28时，已经通过空穴传输层30b的空穴和已经通过电子传输层30e的电子移动到发光层30c以形成激子，并且结果，发光层30c发射可见光。在OLED显示装置中，均具有带有上述结构的OLED的像素被布置为矩阵形式并且由数据电压和扫描电压选择地控制以显示图像。OLED显示装置被分为使用TFT作为开关元件的主动矩阵型显示装置和被动矩阵型OLED显示装置。其中，在主动矩阵型OLED显示装置中，作为有源元件的TFT被选择性地导通以选择像素并且通过在存储电容器中保持的电压保持像素的发光。图2是一般的OLED显示装置中的像素的等效电路图。即，图2示出了主动矩阵型OLED显示装置中具有通常的2T1C (包括两个晶体管和一个电容器)的像素的等效电路图的示例。参考图2，主动矩阵型OLED显示装置的像素包括0LED、彼此交叉的数据线DL和选通线GL、开关TFT SW、驱动TFT DR和存储电容器Cst。这里，响应于来自选通线GL的扫描脉冲导通开关TFT Sff以导通其源电极和漏电极之间的电流路径。在开关TFT SW的导通时间段期间，来自数据线DL的数据电压被借助于开关TFT SW的源电极和漏电极施加到驱动TFT DR的栅电极和存储电容器Cst。这里，驱动TFT DR根据施加到其栅电极的数据电压控制在OLED中流动的电流。存储电容器Cst存储数据电压和低电势电源电压VSS之间的电压并且在一个帧时段期间均匀地保持该电压。为了形成构成OLED显示装置的若干有机化合物层，大量地使用真空蒸镀方法。这里，为了使用真空蒸镀方法，使用具有对应于多个像素区域的多个开口的掩模 (或遮板)或者精细金属掩模(FMM)。然而，该方法的限制在于不容易处理图案的精细间距以增加基板的尺寸和实施高分辨率显示。S卩，通过在薄金属板上形成作为用于沉积的图案的孔并且对其进行拉伸来制造FMM。因此，限制在于形成具有小尺寸的图案，使得难以减小OLED的大小。而且，当增加精细金属掩模的尺寸以增加面板的尺寸时，由于精细金属掩模的特性导致发生翘曲，使得图案变形从而降低了产率。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种有机发光二极管(OLED )显示装置，其中通过光刻工艺对OLED像素进行图案化，从而可用于大面积图案化并且获得高间距(或高清晰度或高分辨率)以及用于制造这样的有机发光二极管(OLED)显示装置的方法。本专利技术的另一方面提供了一种其中在通过光刻的图案化处理期间保护发光层的OLED显示装置及其制造方法。本专利技术的另一方面提供了一种能够简化工艺并且增加效率的OLED显示装置及其制造方法。根据本专利技术的方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置，其包括形成在基板上的第一电极；形成在其上形成有第一电极的基板上的空穴注入层和空穴传输层；第一发光层，该第一发光层由第一有机膜形成并且形成在其上形成有空穴注入层和空穴传输层的基板上；第二发光层，该第二发光层由第二有机膜形成并且形成在其上形成有第一发光层的基板上；第三发光层，该第三发光层通过在其上形成有第一发光层和第二发光层的基板的整个表面上沉积第三有机膜而形成；以及形成在第三发光层上的电子注入层和第二电极。第三发光层可以形成在第一发光层以及第二发光层的上部分上并且形成在第一发光层和第二发光层之间。根据本专利技术的另一方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置，该有机发光二极管(OLED)显示装置包括形成在基板上的第一电极；层叠在基板上的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一缓冲层；层叠在基板上的第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层；层叠在基板上的第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层；以及形成在第一、第二和第三缓冲层上的第二电极，其中，第一、第二和第三缓冲层由金属氧化物制成。第一、第二和第三缓冲层可以由1-2族与12-16族金属氧化物或者3-12族过渡金属氧化物制成。根据本专利技术的另一方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法,该制造方法包括在基板上形成第一电极；通过第一光处理在基板上形成由第一有机膜形成的第一发光层；通过第二光处理在基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层；在第一光处理和第二光处理过程中使用之后保留的第一和第二光敏树脂图案上沉积第三有机膜；通过剥离处理将沉积在第一和第二光敏树脂图案的上部分上的第三有机膜与第一和第二光敏树脂图案一起移除以形成第三发光层；以及在第一、第二和第三发光层上形成第二电极。 根据本专利技术的另一方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法，该制造方法包括Ca)在基板上形成第一电极；(b)将光敏树脂施加到基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；(C)对第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在除了将要形成第一发光层的位置之外的位置处形成由光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；(d)在保留第一光敏树脂图案的状态下在第一光敏树脂图案上沉积第一有机膜；(e)通过剥离处理移除沉积在第一光敏树脂图案的上部分上的第一有机膜与第一光敏树脂图案以在基板上形成由第一有机膜形成的第一发光层；(f)通过与(b)至(e)相同的处理在基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法，所述制造方法包括：在基板上形成第一电极；通过第一光处理在所述基板上形成由第一有机膜形成的第一发光层；通过第二光处理在所述基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层；在所述第一光处理和所述第二光处理过程中使用之后剩余的第一光敏树脂图案和第二光敏树脂图案上沉积第三有机膜；通过剥离处理将沉积在所述第一光敏树脂图案和所述第二光敏树脂图案的上部分上的所述第三有机膜连同所述第一光敏树脂图案和所述第二光敏树脂图案一起移除，以形成第三发光层；以及在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层上形成第二电极。

【技术特征摘要】
2011.09.22 KR 10-2011-0095959;2012.09.12 KR 10-201.一种有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法，所述制造方法包括在基板上形成第一电极；通过第一光处理在所述基板上形成由第一有机膜形成的第一发光层；通过第二光处理在所述基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层；在所述第一光处理和所述第二光处理过程中使用之后剩余的第一光敏树脂图案和第二光敏树脂图案上沉积第三有机膜；通过剥离处理将沉积在所述第一光敏树脂图案和所述第二光敏树脂图案的上部分上的所述第三有机膜连同所述第一光敏树脂图案和所述第二光敏树脂图案一起移除，以形成第三发光层；以及在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层上形成第二电极。2.一种有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法，所述制造方法包括(a)在基板上形成第一电极；(b)将光敏树脂施加到所述基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；(C)对所述第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在除了将要形成第一发光层的位置之外的其它位置处形成由所述光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；(d)在保留所述第一光敏树脂图案的状态下在所述第一光敏树脂图案上沉积第一有机膜；(e)通过剥离处理将沉积在所述第一光敏树脂图案的上部分上的所述第一有机膜连同所述第一光敏树脂图案一起移除以在所述基板上形成由所述第一有机膜形成的第一发光层；(f)通过与(b)至(e )相同的处理在所述基板上形成由第二有机膜形成的第二发光层；(g)在其上形成有所述第一发光层和所述第二发光层的所述基板的整个表面上沉积第三有机膜；以及(h)在所述基板上形成第二电极。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三发光层形成在所述第一发光层和所述第二发光层之间。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三发光层形成在所述第一发光层和所述第二发光层的上部分上并且形成在所述第一发光层和所述第二发光层之间。5.根据权利要求1和权利要求2中的任一项所述的方法，其中，在空穴注入层和空穴传输层形成在其上形成有所述第一电极的所述基板上之后，在所述空穴注入层和所述空穴传输层上形成所述第一发光层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一发光层形成为红、绿和蓝光发光层中的任一种。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二发光层形成为所述红、绿和蓝光发光层中的另一种。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三发光层形成为所述红、绿和蓝光发光层中的剩余一种。9.根据权利要求5所述的方法，其中，在电子传输层和电子注入层形成在其上形成有所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层的所述基板上之后，在所述电子传输层和所述电子注入层上形成所述第二电极。10.一种有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法，所述制造方法包括在基板上形成第一电极；通过第一光处理在所述基板上以层叠的方式形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、 第一发光层、第一电子传输层以及第一缓冲层；通过第一光处理在所述基板上以层叠的方式形成第二空穴注入层、第二空穴传输层、 第二发光层、第二电子传输层和第二缓冲层；通过第一光处理在所述基板上以层叠的方式形成第三空穴注入层、第三空穴传输层、 第三发光层、第三电子传输层和第三缓冲层；以及在所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层上形成第二电极，其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层由金属氧化物制成。11.一种有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法，所述制造方法包括(a)在基板上形成第一电极；(b)将光敏树脂施加到所述基板的整个表面以形成第一光敏树脂层；(C)对所述第一光敏树脂层进行选择性的曝光和显影以在除了将要形成第一发光层的位置之外的其它位置处形成由所述光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；(d)在保留所述第一光敏树脂图案的状态下沉积用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜；(e)通过剥离处理将沉积在所述第一光敏树脂图案的上部分上的所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传输层的薄膜、所述第一有机膜、所述用于第一电子传输层的薄膜以及所述用于第一缓冲层的薄膜连同所述第一光敏树脂图案一起移除，以在所述基板上形成分别由所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传输层的薄膜、所述第一有机膜、所述用于第一电子传输层的薄膜以及所述用于第一缓冲层的薄膜形成的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一缓冲层；(f)通过与(b)至(e)相同的处理形成第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、 第二电子传输层和第二缓冲层；(g)通过与(b)至(e)相同的处理形成第三空穴注入层、第三空穴传输层、第三发光层、 第三电子传输层和第三缓冲层；以及(h)在所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层上形成第二电极，其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层由金属氧化物制成。12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第一空穴注入层、所述第一空穴传输层、所述第一发光层、所述第一电子传输层以及所述第一缓冲层的步骤包括在所述基板上沉积用于第一空穴注入层的薄膜、用于第一空穴传输层的薄膜、第一有机膜、用于第一电子传输层的薄膜以及用于第一缓冲层的薄膜；将光敏树脂施加到其上沉积有所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传输层的薄膜、所述第一有机膜、所述用于第一电子传输层的薄膜以及所述用于第一缓冲层的薄膜的所述基板的整个表面，以形成第一光敏树脂层；对所述第一光敏树脂层进行曝光和显影以在将要形成第一发光层的位置处形成由所述光敏树脂制成的第一光敏树脂图案；以及通过使用所述第一光敏树脂图案作为掩模选择性地蚀刻所述用于第一空穴注入层的薄膜、所述用于第一空穴传...

【专利技术属性】
技术研发人员：金英美，尹钟根，许峻瑛，朴汉善，都义斗，李妍景，金大炫，沈钟植，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：