一种具有空穴传输层的高分子发光二极管的制造方法技术

技术编号:8491007 阅读:190 留言:0更新日期:2013-03-28 18:18
本发明专利技术公开了一种高分子发光二极管的制造方法,该方法制备工艺简单、成本低且制得的发光二极管发光效率高。本发明专利技术的高分子发光二极管的制造方法包括依次制备衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极。本发明专利技术的发光二极管采用的高分子发光层作为高效的发光聚合物,发光二极管的发光性能得到显著提高;制备工艺简单,制作成本低;适合于制备柔性显示屏的阴极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电器件的制造方法,尤其涉及一种发光二极管的制造方法。高分子发光二极管具有材料成本低廉,驱动电压低,主动发光,视角宽,能耗低等特点,更有易于大面积成型,发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势,可以广泛应用于高分辨全色平面显示器,也可以应用于聚合物太阳能电池。当在高分子发光二极管两端加上正向偏压,空穴由正极注入到高分子发光层的价带并向负极迁移,电子由负极注入到高分子发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获,复合成激子,激子态的电子发生辐射跃迁,能量以光子形式释放出去, 实现电致发光。但是,现有技术中发光二极管仍存在一些缺陷,柔性发光二极管的制备工艺复杂,成本高,制备的发光二极管的发光性能不能满足需要,因此希望研发一种更好性能的有机/高分子发光二极管,效率高,制备工艺简单且成本低。
技术实现思路
本专利技术公开了一种高分子发光二极管的制造方法,该方法制备工艺简单、成本低且制得的发光二极管发光效率高。本专利技术的高分子发光二极管的制造方法包括依次制备衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极,其中,制备所述高分子发光层的材料包括如下步骤(I)式(II本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子发光二极管的制造方法,包括依次制备衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极,其特征在于,制备所述高分子发光层的方法包括以下步骤:(1)式(II)的聚合物在碱性环境下与巯基乙酸甲酯发生环化反应生成式(III)的聚合物(2)式(III)的聚合物与酰卤缩合形成式(IV)的聚合物(3)式(IV)的聚合物经碱去质子化后与碘代物反应得到式(V)的聚合物(4)由(V)的聚合物经Suzuki偶联反应后用强碱皂化得到式(I)的聚合物作为高分子发光层其中,R1选自C1?C12烷基,C2?C12烯基,C2?C12炔基,C6?C14芳基,C3?C12杂环,C3?C18杂芳基烷基,C6?C18芳基烷基或C3...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:虞浩辉周宇杭吕锁方顾忠杰
申请(专利权)人:江苏威纳德照明科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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