【技术实现步骤摘要】
一种高耐久性广角发光二极管
本技术涉及一种半导体发光器件，特别是一种高耐久性广角发光二极管。
技术介绍
目前，在日常生活应用中，大量地使用发光二极管(light emitting d1de，LED)。一般的发光二极管的原理是在连有发光二极管晶片的两个电极端子之间施加电压，晶片中PN结的空穴与电子转移结合产生能量并发光。发光二极管具有发光效率高、体积小、寿命长、污染低等特性，于照明、背光以及显示灯领域具有广阔的应用前景。通常发光二极管的主要结构为芯片、连接在芯片上的正负极管脚以及密封包覆晶片的封装，负极管脚的上端为长条形柱，其上端为一倒梯形的负极片，负极片的上端有一凹槽，发光二级的芯片安装在凹槽内，正极脚管为一较短的长条形柱，其上端与负极片保持适当距离，发光二极管的芯片用一导线与正极片连接，封装为透明环氧树脂将正负极脚管上的正负极片连通位与凹槽内的晶片封装为一个整体从而成为发光二极管成品。发光二级管的发光体为晶片，为常规意义上的电光源，采用发光二极管为光源通常会存在一个最亮的发光点，使得近距离的光照区域内的均匀性不强，局部过亮，从而影响作为背光光源的使用和发光效果。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术公开了一种高耐久性广角发光二极管，通过在封装的光扩散层内加入微球，利用两种材料的折射率不同所导致的反射、折射等实现了光照强度的均匀分布。通过封装内的导热透光层，由于包裹芯片，工作中的芯片产生的热量被迅速传导至封装上，及时与外界进行热交换，利于降低芯片工作温度，提升发光效率及耐久性。 本技术公开了一种高耐久性广角发光二极管，包括芯片、电...
【技术保护点】
一种高耐久性广角发光二极管，包括芯片、电极和封装，封装为沿中轴开设有方形凹槽的结构，凹槽底部有裸露电极与外电极联通，发光芯片放置在凹槽的底部，通过导线将芯片的电极与凹槽底部的裸露电极连接，高耐久性广角发光二极管还包括掺有扩散粒子的光扩散层以及贴近芯片位置的导热透光层，光扩散层及导热透光层在凹槽内，将芯片密封在封装底部。
【技术特征摘要】
1.一种高耐久性广角发光二极管，包括芯片、电极和封装，封装为沿中轴开设有方形凹槽的结构，凹槽底部有裸露电极与外电极联通，发光芯片放置在凹槽的底部，通过导线将芯片的电极与凹槽底部的裸露电极连接，高耐久性广角发光二极管还包括掺有扩散粒子的光扩散层以及贴近芯片位置的导热透光层，光扩散层及导热透光层在凹槽内，将芯片密封在封装底部。2.根据权利要求1所述的广角发光二极管，其特征在于:所述的光扩散层是由直径为10...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱长进，于振波，周梦雅，
申请(专利权)人：南京灿华光电设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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