具有高亮度高发光效率的外延生长结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种外延生长结构，尤其是一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，属于半导体外延结构的
技术介绍
近年来，由于价格优势及相关技术的增长，以LED作为发光光源的产品正逐渐扩大其市场占有率，有逐步取代白炽灯和日光节能灯等传统光源的趋势。但若想真正达到用户的首先光源及发光器件，还需要各企业及研发人员在提升发光效率及降低成本上继续努力。到目前为止，已有方法解决了部分因发光二级管全反射以及媒质自吸收技术带来的光损耗问题，但有关外延生长结构不良所导致的光损耗的解决方法却鲜见报道。目前LED外延生长包括在衬底材料上依次生成半导体发光结构，常见基本半导体发光结构包括缓冲层、N型化合物半导体材料层、有源层和P型化合物半导体材料层。单一外延结构中的P型化合物结构层对于阻挡电子溢出的效果也是有限的，因此，迫切需要以对现有外延结构的改善来提高有源层的电子复合率。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，其结构紧凑，提高发光亮度及发光效率，工艺方便，安全可靠。按照本技术提供的技术方案，所述具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层，所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层。所述电子溢出阻挡层的厚度为10nm~200nm。所述电子溢出阻挡层...
【技术保护点】
一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层（2），所述缓冲层（2）上生长有N型化合物半导体材料层（3），所述N型化合物半导体材料层（3）上生长有有源层（4）；其特征是：所述有源层（4）上生长有电子溢出阻挡层（5），所述电子溢出阻挡层（5）上生长P型化合物半导体材料层（6）。
【技术特征摘要】
1.一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层（2），所述缓冲层（2）上生长有N型化合物半导体材料层（3），所述N型化合物半导体材料层（3）上生长有有源层（4）；其特征是：所述有源层（4）上生长有电子溢出阻挡层（5），所述电子溢出阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟玉煌，郭文平，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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