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本实用新型涉及一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，所述具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半...
该专利属于江苏新广联科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新广联科技股份有限公司授权不得商用。

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