一种LED外延片及其制造方法技术

本发明专利技术揭露了一种LED外延片及其制造方法，LED外延片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层生长应力释放层；在所述应力释放层生长保护层，所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致；在所述保护层上生长第二氮化镓层，同时，所述应力释放层被分解形成晶格结构被破坏的应力释放层。晶格结构被破坏的应力释放层消除了所述保护层和第一氮化镓层的相互作用；所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致，为第二氮化镓层生长提供模板。因而第二氮化镓层能生长较厚的厚度，解决了现有的在硅衬底上生长氮化镓材料的方法无法有效消除氮化镓材料中形成裂纹的问题，提升了器件的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED制造
，尤其涉及一种LED外延片及其制造方法。
技术介绍
绿色环保是现代照明发展的一个重要趋势，LED技术的诞生和发展正在引发第二次照明革命。与传统光源相比，LED具有寿命长、光效高、功耗低、体积小、自由集成等优势。在户外显示、景观照明、电视背光、室内照明等应用领域逐渐取代传统光源成为主流。目前，LED都是采用外延生长的方法制作在衬底上，这是因为自然界中没有天然的氮化镓材料。常用的衬底材料有蓝宝石、碳化硅(SiC)、硅(Si)等。这其中，蓝宝石衬底由于合适的价格、成熟的加工技术，在发光二极管中得到了广泛的应用，占据了市场中大量的份额。但是蓝宝石的热导率非常低，只有0.5W/cmK，在高电流密度工作下的LED，如果产生的热量不能迅速从器件传导出来，将导致器件发光效率降低甚至失效。碳化硅和氮化镓的晶格常数接近，这两种材料的晶格失配只有3%，因此在SiC衬底上更容易获得结晶质量高的GaN材料。但是碳化硅衬底制作成本高、加工相对不成熟，导致价格远远高于蓝宝石，只有少数几家LED公司使用。娃衬底价格最便宜，而且娃衬底的生长、加工工艺最成熟，能制作的衬底尺寸最大，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED外延片的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层生长应力释放层；在所述应力释放层生长保护层，所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致；在所述保护层上生长第二氮化镓层，同时，所述应力释放层被分解形成晶格结构被破坏的应力释放层。

【技术特征摘要】
1.一种LED外延片的制造方法，包括: 提供衬底； 在所述衬底上生长第一氮化镓层； 在所述第一氮化镓层生长应力释放层； 在所述应力释放层生长保护层，所述保护层晶格结构与第一氮化镓层一致； 在所述保护层上生长第二氮化镓层，同时，所述应力释放层被分解形成晶格结构被破坏的应力释放层。2.如权利要求1所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，在生长第一氮化镓层之前还包括在所述衬底上生长氮化铝层的步骤。3.如权利要求2所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，在衬底上生长氮化铝缓冲层前还包括:将衬底在1000°c 1200°c的温度下，在氢气环境中烘烤。4.如权利要求2所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，利用MOCVD工艺生长所述氮化铝缓冲层、第一氮化镓层、应力释放层、保护层和第二氮化镓层。5.如权利要求2所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述氮化铝缓冲层的生长工艺在1000°C 1200°c的温度下进行，工艺气体为三甲基铝和氨气，生长的氮化铝缓冲层的厚度为10nm 200nm。6.如权利要求4所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述第一氮化镓层的生长工艺在1000°C 1200°C的温度下进行，工艺气体为三甲基镓和氨气，生长的第一氮化镓层的厚度为 200nnTl00 0nm。7.如权利要求4所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述应力释放层的材质为氮化铟镓。8.如权利要求7所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述氮化铟镓的生长在5000C 800°C的温度下进行，工艺气体为三甲基铟、三甲基镓和氨气，其中铟的物质的量大...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱学亮，于洪波，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：