【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件
,特别是涉及一种具有反射镜结构的发光二极管。
技术介绍
LED的发光效率受限于外量子效率,而外量子效率是由内量子效率和光提取效率共同决定的。内量子效率取决于晶格缺陷、掺杂效率和欧姆接触性能等。随着MOCVD工艺的不断发展,内量子效率已经达到80% 90%,而光提取效率目前只有40%左右,存在很大的改善空间。导致光提取效率低的一个重要原因是芯片背面(蓝宝石)和封装胶(绝缘胶或银胶)直接接触,从有源层发出的光从背面折射出来后直接被封装胶吸收掉。因此在蓝宝石背面增加一层反射层,从有源层发出的光从背面折射出来后,经过反射层的反射,改变光的行走路线,从芯片正面出射来。目前主流方法是在衬底背面制作DBR层和金属层,金属层材料主要选择Al、Cr、Pt、Au,其中Al作为主要反射金属层,Cr、Pt、Au用来保护Al不受氧化,但是在所有金属材料中,Al的反射率有90%,而Ag的反射率则大于98%,因此Ag取代Al作为背镀金属层成为大势所趋,但另一方面由于Ag和DBR(distributed Bragg ref lection,分布式布拉格反射镜)层氧 ...
【技术保护点】
一种具有反射镜结构的发光二极管,从下至上依次包括金属层、DBR层、衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极,其特征在于:所述金属层和所述DBR层之间插入有一层用于增加DBR层和金属层的粘附性的过渡层,且所述金属层、所述过渡层和所述DBR层构成所述发光二极管的反射镜结构。
【技术特征摘要】
1.一种具有反射镜结构的发光二极管,从下至上依次包括金属层、DBR层、衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、η型GaN层、η型GaN层上形成的η电极、有源层、P型GaN层、透明导电层和透明导电层上形成的P电极,其特征在于:所述金属层和所述DBR层之间插入有一层用于增加DBR层和金属层的粘附性的过渡层,且所述金属层、所述过渡层和所述DBR层构成所述发光二极管的反射镜结构。2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述金属层材料包括Ag和Cr,且Cr用于保护Ag不受氧化。3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述高折射率材料是Ti02...
【专利技术属性】
技术研发人员:项艺,王汉华,杨新民,靳彩霞,董志江,
申请(专利权)人:武汉迪源光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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