一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法技术

一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法，其包括将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片旋转90度，使离子注入沿存储管和选择管栅极方向；同时倾斜离子注入角度，其利用隔离区高度的阴影效应使内部结的注入远离隔离区；进行第一次离子注入；将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片再旋转90度，还是使离子注入沿存储管和选择管栅极方向；同时也倾斜离子注入角度；进行第二次离子注入，从而减小编程和擦除过程中的界面态的影响，提高闪存单元的耐久性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，涉及芯片的测试电路，尤其涉及一种一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法。
技术介绍
闪存盘是基于flashmemory为存储介质的、以USB为接口的一种存储方式；闪存盘一出现，就被电脑业内人士认为是“软盘的终结者”，闪存盘的存储容量与日俱增，现在最高等级的闪存盘每只已经可以容纳相当于1500张软盘的信息，闪存盘技术还被用到了数码相机、随身听等新领域。闪存由于其具有高密度、低价格、电可编程和擦除的优点已被广泛作为非易失性记忆体应用的最优选择。虽然最初对于闪存的开发和应用是用于单一的闪存产品，但是嵌入式闪存可以提供更多的优势。嵌入式闪存是将已有的闪存与现有的逻辑模块从物理或是电学进行结合，提供更多样的性能。2T嵌入式闪存的每个单元由两个晶体管-存储管和选择管组成，其由于可以通过选择管将外部干扰(例如，编程串扰或擦除串扰)降低甚至摒除而得到广泛的使用。请参阅图1，图1所示为现有技术中2T嵌入式闪存单元阵列示意图。如图所示，2T嵌入式闪存包括N型和P型存储管组成。请参阅图2，图2所示为图1图中2T嵌入式存储管和选择管结构(沿图1AA’虚线方向)的剖切示意图。如图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法，用于2T嵌入式闪存单元阵列对于内部结形成是使用离子注入来形成的工艺步骤中；其中，所述2T嵌入式闪存结构除了包含存储管和选择管外，在所述存储管和选择管二者之间还包含共用的内部结，所述内部结用作所述存储管的漏端，承接从所述选择管到所述存储管的电压转移；其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片旋转90度，使离子注入沿所述存储管和选择管栅极方向；同时倾斜离子注入角度；步骤S2：进行第一次离子注入；步骤S3：将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片在步骤S1的位置上再旋转90度，还是使离子注入沿所述存储管和选择管栅极方向；同...

【技术特征摘要】
1.一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法，用于2T嵌入式闪存单元阵列对于内部结形成是使用离子注入来形成的工艺步骤中；其中，所述2T嵌入式闪存结构除了包含存储管和选择管外，在所述存储管和选择管二者之间还包含共用的内部结，所述内部结用作所述存储管的漏端，承接从所述选择管到所述存储管的电压转移；其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片旋转90度，使离子注入沿所述存储管和选择管栅极方向；同时倾斜离子注入角度；步骤S2：进行第一次离子注入；步骤S3：将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片在步骤S1的位置上...

【专利技术属性】
技术研发人员：田志，范晓，殷冠华，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31