离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法技术方案

本发明专利技术提供一种离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法，该离子植入系统结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异，所述两个电荷收集器接收不同量的离子，其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率，而可监视且任选地补偿腐蚀量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及用于检测例如用于测量射束线离子植入系统(beamlineionimplantationsystem)中的离子束电流的限束孔隙(definingaperture)的腐蚀的方法和设备。
技术介绍
半导体工件常常植入有掺杂物质以产生所需的传导性。引入到工件中的掺杂物的量对于其正常运作很关键。因此，已经使用不同技术来试图准确测量由离子植入系统所供应的离子束电流。在一些实施例中，例如法拉弟杯(Faradaycup)的电荷收集器定位在工件附近。以此方式，可基于在给定时间周期内法拉弟杯所收集的电荷的量来测量离子束电流。定位在相对于工件的电荷收集器仅可接收来自离子束的一部分的电荷。换句话说，归因于其固定位置，所收集的电荷不能代表整个离子束。在其它实施例中，电荷收集器为可移动的，以便移动而穿过离子束。在此情况下，具有孔隙的板件可安置在离子束的来源与电荷收集器之间，以便限制对电荷收集器可见的离子束的部分。由于板件和电荷收集器移动而跨越离子束，因而可积分全部电荷以计算束电流。此计算是基于电荷收集器移动的速度以及孔隙的尺寸。虽然这是测量离子束电流的总体上有效的方法，但其可能容易发生测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子植入系统，其特征在于，所述离子植入系统包括：离子源，产生离子束；限束孔隙板件，具有两个不同尺寸的孔隙；两个电荷收集器，各自安置在所述两个不同尺寸的孔隙的相应一个后方；致动器，用以驱动所述限束孔隙板件穿过所述离子束的一部分；以及控制系统，与所述两个电荷收集器通信以监视所述离子束的离子束电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.31 US 14/169,4881.一种离子植入系统，其特征在于，所述离子植入系统包括：离子源，产生离子束；限束孔隙板件，具有两个不同尺寸的孔隙；两个电荷收集器，各自安置在所述两个不同尺寸的孔隙的相应一个后方；致动器，用以驱动所述限束孔隙板件穿过所述离子束的一部分；以及控制系统，与所述两个电荷收集器通信以监视所述离子束的离子束电流。2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，所述控制系统：基于所述两个不同尺寸的孔隙的宽度的比率，以计算初始孔隙比；基于所述两个电荷收集器测得的电荷，以计算经更新的孔隙比；基于所述经更新的孔隙比和所述初始孔隙比，以确定补偿因数；基于所述两个电荷收集器收集的电荷和所述补偿因数，以计算所述离子束电流；以及基于所述离子束电流，以设定所述离子植入系统的参数。3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，所述控制系统：基于所述两个不同尺寸的孔隙的宽度的比率，以计算初始孔隙比；基于所述两个电荷收集器测得的电荷，以计算经更新的孔隙比；以及基于所述初始孔隙比和所述经更新的孔隙比，以确定所述两个不同尺寸的孔隙的腐蚀量。4.根据权利要求3所述的离子植入系统，其特征在于，如果所述腐蚀量小于预定阈值，则所述植入系统对工件进行植入。5.根据权利要求3所述的离子植入系统，其特征在于，如果所述腐蚀量大于预定阈值，则所述控制系统停止对工件进行植入。6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，所述控制系统基于所述两个电荷收集器测得的电荷，以确定所述离子束中的异常。7.根据权利要求6所述的离子植入系统，其特征在于，所述异常包括：所述离子束中的空间异常或时间异常。8.一种使用离子束处理工件的方法，其特征在于，所述使用离子束处理工件的方法包括：使用所述离子束以对工件进行植入，其中离子植入的参数是基于所述离子束的离子束电流；使板件在所述离子束的一部分前方通过，所述板件具有离子能够通过的两个不同尺寸的孔隙；基于所述两个孔隙的初始宽度的比率，以确定初始孔隙比；收集各自在相应孔隙后方的第一电荷收集器和第二电荷收集器所接收的电荷，所收集的所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·汀布莱克，马克·R·亚玛多，纳岚·罗夫，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US