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一种通过结形貌改善闪存耐久性的方法，其包括将2T嵌入式闪存单元阵列中形成内部结后的硅片旋转90度，使离子注入沿存储管和选择管栅极方向；同时倾斜离子注入角度，其利用隔离区高度的阴影效应使内部结的注入远离隔离区；进行第一次离子注入；将2T嵌入式...
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