【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电器件，尤其涉及一种发光二极管。
技术介绍
高分子发光二极管具有材料成本低廉，驱动电压低，主动发光，视角宽，能耗低等特点，更有易于大面积成型，发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势，可以广泛应用于高分辨全色平面显示器，也可以应用于聚合物太阳能电池。当在高分子发光二极管两端加上正向偏压，空穴由正极注入到高分子发光层的价带并向负极迁移，电子由负极注入到高分子发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获，复合成激子，激子态的电子发生辐射跃迁，能量以光子形式释放出去，实现电致发光。但是，现有技术中发光二极管仍存在一些缺陷，柔性发光二极管的制备工艺复杂，成本高，制备的发光二极管的发光性能不能满足需要，因此希望研发一种更好性能的有机/高分子发光二极管，效率高，制备工艺简单且成本低。
技术实现思路
本专利技术的高分子发光二极管包括衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极，其中，高分子发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，
【技术保护点】
一种高分子发光二极管，包括衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极，其特征在于，所述高分子发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，其中，R1选自C1?C12烷基，C2?C12烯基，C2?C12炔基，C6?C14芳基，C3?C12杂环，C3?C18杂芳基烷基，C6?C18芳基烷基或C3?C7环烷基；R2选自氢，C1?C12烷基，C2?C12烯基，C2?C12炔基，C3?C12杂环，C3?C18杂芳基烷基，C6?C18芳基烷基或C3?C7环烷基；R3选自氢，卤素，硝基，?NRaRb，?SO2Rc，?SO2NRdRe，?CONRfRg，?NRhCORi，?NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1?C6烷基或?ORl；R4选自氢，卤素，硝基，?NRaRb，?SO2Rc，?SO2NRdRe，?CONRfRg，?NRhCORi，?NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1?C6烷基或?ORl；R5选自氢，卤素，硝基，?NRaRb，?SO2Rc，?SO2NRdRe，?CONRfRg，?NRhCORi，?NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧...
【技术特征摘要】
1.种高分子发光二极管，包括衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极，其特征在于， 所述高分子发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，2.权利要求1所述的高分子发光二极管，其特征在于，所述R1选自C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R2选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R6选自C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基； R1^R6可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe，-CONRfRg, -NRhCORij-NRjSO2Rk,叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ；R2非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:齒素或-ORm ；上述中，Ra，Rb，Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, R1 独立地选自氢或 C1-C6 烷基或 C6-C14芳基；Rm独立地选自氢或C1-C6烷基。3.权利要求1所述的高分子发光二极管，其特征在于，所述R1选自C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C...
【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，吕锁方，顾忠杰，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。