半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种发光二极管的制造方法，包括；在蓝宝石衬底的（0001）方向上生长AlN缓冲层；在AlN缓冲层上蒸镀N型电极；在N型电极上蒸镀量子阱反射层；在量子阱反射层上生长一层厚度30～40μm的金属层；利用干法刻蚀技术将该金属层制备成周期排列的条状金属层；在周期排列的条状金属层上外延生长N型GaN层；在N型GaN层上生长有源层；在有源层上生长P型GaN层；在P型GaN层上生长P型电极。该方法可以降低材料的位错密度，同时减少量子限制斯塔克效应的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种
技术介绍
荧光灯和白炽灯是现在广泛应用的照明光源，但是它们有很大的缺陷，就是发光的效率太低，找到光转换效率高的新光源来替代这些传统光源，是实现节能减排的重要途径之一。LED是一种新型的光源，其发光的效率很高。半导体照明有节能、安全、寿命长、节能美观、绿色环保、可微型化、色彩丰富等优点，并且耐高温高压，耐酸碱腐蚀，即使在严酷的条件下也能正常工作。实现LED白光照明的途径主要有三种:一是蓝光LED激发黄色荧光粉发白光；二是紫外LED配合红、绿、蓝三色荧光粉发白光；三是由红绿蓝三色LED混合成白光。其中第一种方法是现阶段实现LED照明的最有效手段。以GaN为代表的三族氮化物(AlN、GaN、InN、AlGaInN)由于具有优良的光电特性，因而在蓝光、绿光、紫外发光二极管(LED)及高频、高温大功率电子器件中得到广泛应用。由于缺乏晶格匹配的衬底，三族氮化物都是异质外延在其他材料上，常用的衬底有蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌等，常用的外延方法有金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)等。由于和衬底的晶格失配及热失配很大，即本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤（1）、在蓝宝石衬底（1）的（0001）方向上生长AlN缓冲层（2）；步骤（2）、在AlN缓冲层上蒸镀N型电极（3）；步骤（3）、在N型电极（3）上蒸镀量子阱反射层（4）；步骤（4）、在量子阱反射层（4）上生长一层厚度30～40μm的金属层；利用干法刻蚀技术将该金属层制备成周期排列的条状金属层（5）；步骤（5）、在周期排列的条状金属层（5）上外延生长N型GaN层（6）；步骤（6）、在N型GaN层（6）上生长有源层（7）；步骤（7）、在有源层（7）上生长P型GaN层（8）；步骤（8）、在P型GaN层（8）上生长P型电极（9）。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: 步骤(I)、在蓝宝石衬底(I)的(OOOl)方向上生长AlN缓冲层(2)； 步骤(2 )、在AlN缓冲层上蒸镀N型电极(3 ); 步骤(3)、在N型电极(3)上蒸镀量子阱反射层(4); 步骤(4)、在量子阱反射层(4)上生长ー层厚度30 40 y m的金属层；利用干法刻蚀技术将该金属层制备成周期排列的条状金属层(5)； 步骤(5)、在周期排列的条状金属层(5)上外延生长N型GaN层(6)； 步骤(6)、在N型GaN层(6)上生长有源层(7)； 步骤(7)、在有源层(7)上生长P型GaN层(8)； 步骤(8)、在P型GaN层(8)上生长P型电极(9)。2.按权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：