发光二极管制造技术

一种发光二极管，该发光二极管包括氮化镓基板、第一型半导体层、发光层、第二型半导体层以及第一电极与第二电极。氮化镓基板具有位于相反侧的第一表面以及第二表面，且第二表面具有多个突起，突起具有一高度hμm与在第二表面上的分布密度d?cm-2满足：9.87×107≤h2d，且h≤1.8。第一型半导体层配置于氮化镓基板的第一表面上。发光层配置于第一型半导体层的部分区域上，发光层所发出的光波长的范围为375nm至415nm。第二型半导体层配置于发光层上。第一电极配置于第一型半导体层的部分区域上以电性连接第一型半导体层，第二电极配置于第二型半导体层的部分区域上以电性连接第二型半导体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管(light emitting diode,简称LED),且特别涉及一种可提升光粹取率(light extraction efficiency)的发光二极管。
技术介绍
发光二极管是一种半导体元件，主要是由II1-V族元素化合物半导体材料所构成。因为这种半导体材料具有将电能转换为光的特性，所以对这种半导体材料施加电流时，其内部的电子会与空穴结合，并将过剩的能量以光的形式释出，而达成发光的效果。一般而言，发光二极管通常是使用蓝宝石(Sapphire)为磊晶基板。由于蓝宝石为透明材料，使得发光二极管出光光线四散发射，无法集中利用而形成耗损。同时，四散的光线会被内部各个半导体层吸收而蓄热，所以会降低氮化镓发光二极管的出光亮度与效率。此外，由于发光二极管中作为磊晶层材料的氮化镓的晶格常数与蓝宝石基板的晶格常数之间存在不匹配的问题，其晶格常数不匹配的程度约为16%，致使大量的缺陷产生于晶格成长的接面，进而导致发光强度大幅衰减。再者，传统发光二极管所使用的蓝宝石基板，其散热系数小于氮化镓基板，容易因蓄积热而造成发光强度的下降。另外，发光二极管中产生的光容易因氮化镓与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：一氮化镓基板，包含一第一表面以及一第二表面，分别位于该氮化镓基板的两侧，该第二表面具有多个突起，这些突起的高度为h?μm，且在该第二表面上的分布密度为d?cm?2，其中h2d≥9.87×107，且h≤1.8；一第一型半导体层，配置于该氮化镓基板的该第一表面上；一发光层，配置于该第一型半导体层的部分区域上，该发光层所发出的光波长的范围为375nm至415nm；一第二型半导体层，配置于该发光层上；以及一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极配置于该第一型半导体层的部分区域上，该第二电极配置于该第二型半导体层的部分区域上。

【技术特征摘要】
2011.11.07 TW 1001405631.一种发光二极管，包括: 一氮化镓基板，包含一第一表面以及一第二表面，分别位于该氮化镓基板的两侧，该第二表面具有多个突起，这些突起的高度为h μ m，且在该第二表面上的分布密度为d cm_2，其中 h2d 彡 9.87 X IO7,且 h 彡 1.8 ; 一第一型半导体层，配置于该氮化镓基板的该第一表面上； 一发光层，配置于该第一型半导体层的部分区域上，该发光层所发出的光波长的范围为 375nm 至 415nm ； 一第二型半导体层，配置于该发光层上；以及 一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极配置于该第一型半导体层的部分区域上，该第二电极配置于该第二型半导体层的部分区域上。2.按权利要求1所述的发光二极管，其中该氮化镓基板的厚度介于70μ m至120 μ m。3.按权利要求1所述的发光二极管，其中0.25 < h < 1.8。4.按权利要求1所述的发光二极管，其中8X IO8彡d彡9X109。5.按权利要求1所述的发光二极管，其中该第二表面为该氮化镓基板的氮面。6.一种发光二极管，包括: 一氮化镓基板，包含一第一表面以及一第二表面，其中该第一表面与该第二表面位于该氮化镓基板的两侧，且该第二表面具有多个突起，这些突起的高度为h μ m且在该第二表面上的分布密度为d cnT2，其中h2d彡9.87X 107，且d彡8x10s ； 一第一型半导体层，配置于该氮化镓基板的该第一表面上； 一发光层，配置于该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅毅耕，江仁豪，方彦翔，陈柏君，林佳锋，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：