半导体发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，以及形成在该发光结构上的反射结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，该反射结构包括纳米杆层和形成在纳米杆层上的反射金属层，该纳米杆层包括多个纳米杆和该多个纳米杆之间的空气填充空间。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及。
技术介绍
总体来说，氮化物半导体已被广泛用于绿色或蓝色发光二极管(LED)中，或者被用在作为全彩显示器、图像扫描仪、各种信号系统或者光通信装置中的光源的激光二极管内。氮化物半导体发光器件可以被提供作为具有有源层的发光器件，该有源层通过电子和空穴的复合来发射包括蓝色和绿色的各种颜色的光。因为自氮化物半导体发光器件被首次开发以来在氮化物半导体发光器件领域已经取得了显著进步，氮化物半导体发光器件的应用已经大为扩展，而且已经积极地展开了将半导体发光器件用于通用照明装置和用于电子装置中的光源的研究。具体地，传统氮化物发光器件已经主要用作低电流/低输出移动产品中的组件，而且近来，氮化物发光器件的应用已经扩展到高电流/高输出装置领域。于是，提高半导体发光器件的发光效率和质量的研究正积极地进行。为了提高半导体发光器件的发光效率，半导体发光器件发出的光可以被引导至所需的方向上以提高光提取效率，为此，金属反射层可以形成在芯片的表面之内或芯片的表面上。然而，作为反射层的金属薄膜的镀覆易于受到热的损伤；结果，金属薄膜相对于半导体层的附着力可能降低。
技术实现思路
本公开的一个方面提供一种，该半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及形成在所述发光结构上的反射结构，所述反射结构包括：纳米杆层，所述纳米杆层包括多个纳米杆和布置在所述多个纳米杆之间的空气填充空间；以及形成在所述纳米杆层上的反射金属层。

【技术特征摘要】
2011.11.04 KR 10-2011-01146651.一种半导体发光器件,包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及 形成在所述发光结构上的反射结构，所述反射结构包括: 纳米杆层，所述纳米杆层包括多个纳米杆和布置在所述多个纳米杆之间的空气填充空间；以及 形成在所述纳米杆层上的反射金属层。2.按权利要求1所述的半导体发光器件，其中相对于所述有源层发出的光的波长，与布置在所述纳米杆之间的以空气填充的所述空气填充空间相比，所述多个纳米杆形成于其中的空间具有不同的折射率。3.按权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述反射结构形成来使得其所述纳米杆层直接接触所述发光结构的所述第二导电型半导体层。4.按权利要求1所述的 半导体发光器件，其中所述多个纳米杆包括具有导电性和透光性的材料。5.按权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述具有导电性和透光性的材料包括透明导电氧化物和透明导电氮化物中的一种。6.按权利要求5所述的半导体发光器件，其中所述透明导电氧化物是ITO、CIO和ZnO中的至少一种。7.按权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述纳米杆层的厚度由λ/(4η)的整数倍定义，其中η是所述纳米杆的折射率，λ是所述有源层发出的光的波长。8.按权利要求1所述的半导体发光器件，进一步包括形成在所述反射结构上的导电衬。9.按权利要求1所述的半导体发光器件，进一步包括用于半导体生长的衬底，所述用于半导体生长的衬底具有一个表面，所述发光结构生长在所述表面上。10.按权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述反射结构形成在所述用于半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：李完镐，崔丞佑，宋尚烨，孙宗洛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：