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一种发光二极管，该发光二极管包括氮化镓基板、第一型半导体层、发光层、第二型半导体层以及第一电极与第二电极。氮化镓基板具有位于相反侧的第一表面以及第二表面，且第二表面具有多个突起，突起具有一高度hμm与在第二表面上的分布密度d?cm-2满足：...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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