一种LED芯片的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片的制造方法包括在蓝宝石衬底上制作掩蔽，掩蔽层为Si3N4；在所述掩蔽层上制作光刻胶图案；在露出的掩蔽层上进行激光刻线；去除所述光刻胶图案；以所述掩蔽层作为保护层，使用磷酸、硫酸的混合液对释放应力线侧壁进行腐蚀，清除划线生成物；使用清洗液去除所述掩蔽层；在上述步骤得到的表面具有释放应力线的蓝宝石衬底上生长GaN基半导体外延层；对每个芯片单元进行刻蚀；在芯片表面制作钝化层，并露出N电极和P电极得到LED晶片；对LED晶片进行背面研磨减薄，再裂片得到LED芯片。采用该方法可提高芯片的出光效率，从而能有效提高芯片亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
近年来，以GaN和SiC为代表的第三代宽禁带半导体材料受到人们广泛关注和大力研究，尤其是III-V族氮化物半导体材料以及与它们相关的合金和异质结材料，在高温、高频大功率器件方面具有很大的优势。目前，高亮度的蓝绿LED已经研制成功，但是高的穿透位错密度的存在限制了这些器件性能的进一步提高，因此在实现高性能的LED方面能否取得突破性进展，降低GaN位错密度至关重要。 现在国际上普遍应用的GaN基发光二极管主要是异质外延在平坦的衬底上，其中衬底可以为蓝宝石等，这种结构的缺点在于由于没有晶格匹配的衬底材料，GaN基发光二极管都是异质外延生长在蓝宝石、碳化硅或硅等衬底上，晶格常数的差异使外延材料存在着很多的位错，这些缺陷限制了发光二极管的内量子效率；光从外延层进入衬底时，由于界面比较平坦，光的入射角比较小，且GaN和衬底折射率相差不大，导致反射率低，大部分光会逸出到衬底，不能有效反射回外延层，大大降低了 GaN基发光二极管的出光效率。为了提高GaN基发光二极管的出光效率，已有多项工作围绕图形化衬底展开，主要是通过刻蚀蓝宝石，制作图形衬底。如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）、在蓝宝石衬底上制作掩蔽层，掩蔽层为Si3N4；（2）、在所述掩蔽层上制作光刻胶图案，所述光刻胶图案在掩蔽层表面形成多个单元，各单元之间有部分掩蔽层露出；（3）、在露出的掩蔽层上进行激光刻线，划至所述蓝宝石衬底，形成释放应力线，该释放应力线将蓝宝石衬底划分为多个芯片单元；激光刻线所采用的激光波长为200？400nm，释放应力线宽度为2？15微米，划线深度为15？50微米；（4）、去除所述光刻胶图案；（5）、以所述掩蔽层作为保护层，使用磷酸、硫酸的混合液对释放应力线侧壁进行腐蚀，清除划线生成物；（6）、使用清洗液去除所述掩蔽层；（7...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：