具有纳米结构的磊晶基板及发光二极管的制作方法技术

一种具有纳米结构的磊晶基板制作方法，包含一阻挡层形成步骤，于该磊晶基板的表面形成一由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层，一蚀刻步骤，以该阻挡层为蚀刻屏蔽，利用干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的表面，于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构，及一移除步骤，将该阻挡层自该磊晶基板表面移除，即可完成该具有纳米结构的磊晶基板制作。此外，本发明专利技术还提供一种发光二极管制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磊晶基板及发光二极管的制作方法，特别是涉及ー种具有纳米结构的磊晶基板及含有该磊晶基板的发光二极管的制作方法。
技术介绍
參阅图1，现有发光二极管(以下简称LED)结构具有ー磊晶基板11、一形成于该磊晶基板11的发光单元12，及一可配合提供电能至该发光単元12的电极单元13，当外界经由该电极单元13配合提供电能至该发光単元12时，该发光単元12则会向外发光。以近年来深获重视的III族氮化物(III-Nitride) LED，例如GaN LED为例说明，该发光单兀12是将GaN以嘉晶(Epitaxial)方式成长在以监宝石构成的嘉晶基板11上而制得；但是因为GaN与该监宝石嘉晶基板11之间的晶格常数(Lattice Constant)及热膨胀系数(Coefficient of Thermo Expansion ；CTE)差异性极大,所以，该发光单元12于磊晶过程会产生高密度线差排(Thread Dislocation)，而此种高密度线差排则会限制该发光单元12的发光效率；此外，由于该发光单元12是由具有高折射系数(High RefractiveIndex)的半导体材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其特征在于：该制作方法包含一个阻挡层形成步骤，一个蚀刻步骤，及一个移除步骤，该阻挡层形成步骤包括一个第一次步骤，将一个磊晶基板浸入一个具有锌氨错离子的第一溶液，一个第二次步骤，将该磊晶基板自该第一溶液取出，并再将其浸入温度不高于35℃的水中，令该锌氨错离子水解析出的氢氧化锌沉积于该磊晶基板的表面，及一个第三次步骤，将该表面形成氢氧化锌的磊晶基板浸入一个含有水，且温度不小于80℃的第二溶液中，令该氢氧化锌脱水，而于该磊晶基板的表面形成一个由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层；该蚀刻步骤是以该阻挡层为蚀刻屏蔽，利用干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的区域，于...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗信明，许世昌，
申请(专利权)人：兆鑫光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：