氮化镓基发光二极管外延生长方法技术

本发明专利技术涉及一种氮化镓基发光二极管外延生长方法，包括以下步骤：将衬底进行退火，然后进行氮化处理；降温生长低温GaN缓冲层；升高衬底的温度，对所述低温GaN缓冲层原位进行热退火处理，外延生长高温GaN缓冲层；然后生长一层掺杂浓度稳定的N型GaN层；生长浅量子阱；生长发光层多量子阱；以N2作为载气生长P型GaN层；生长P型AlGaN层；生长P型GaN层；生长P接触层；降低反应室的温度，退火，再降至室温。本发明专利技术提供的方法在P型AlGaN层之后高压生长P型GaN层，高压生长条件可以减少外延沉积过程中产生的碳，减小黄带，能够获得高质量的晶体，从而获得高质量的LED器件，提高器件发光效率和工作寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氮化镓系材料制备
，具体涉及一种。
技术介绍
P型氮化镓晶体质量影响着器件的工作寿命及发光效率，P型氮化镓材料晶体质量不高，影响发光器件的质量及寿命，会对发光二极管产生严重影响，只有获得较好晶体质量的P型氮化镓基材料，才能获得高质量及较高寿命氮化镓系发光二极管。一般生长P型氮化镓时，难以获得高晶体质量的P型氮化镓层。
技术实现思路
针对现有技术制作的GaN基发光二极管中P型氮化镓层晶体质量不够好导致LED器件的发光效率及工作寿命衰减的问题，本专利技术提供了一种。本专利技术在P型铝镓氮层(P型AlGaN层)之后高压生长P型氮化镓层(P型GaN层)，高压生长条件可以减少外延沉积过程中产生的碳，减小黄带，能够获得高质量的晶体，从而获得高质量的LED器件，提高器件发光效率和工作寿命。本专利技术通过以下技术方案实现 一种，包括以下步骤 步骤一，将衬底I在氢气气氛里进行退火，清洁衬底表面，温度控制在1030-120(TC之间，然后进行氮化处理； 步骤二，将温度下降到500-650°C之间，生长20-30 nm厚的低温GaN缓冲层2，生长压力控制在300-760 Torr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基发光二极管外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将衬底（1）在氢气气氛里进行退火，清洁衬底表面，温度控制在1030？1200℃之间，然后进行氮化处理；步骤二，将温度下降到500？650℃之间，生长20？30？nm厚的低温GaN缓冲层（2），生长压力控制在300？760？Torr之间，Ⅴ？/Ⅲ摩尔比在500？3200之间；步骤三，所述低温GaN缓冲层（2）生长结束后，停止通入TMGa，将所述衬底（1）的温度升高至900？1200℃之间，对所述低温GaN缓冲层（2）原位进行热退火处理，退火时间在5？30min之间，退火之后，将温度调节至1000？1200℃之间，外延生长厚度为...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丽彬，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：