用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法技术

本发明专利技术提供了呈现出改善的光提取性能的III族氮化物半导体发光器件。在制造方法中，在30kPa压力和1.5×1020/cm3的Mg浓度下通过MOCVD法在发光层上形成p-AlGaN的p覆盖层。在具有III族元素极性的晶体中形成具有氮极性的多个区域，从而p覆盖层在其表面上具有六角形柱状凹凸形状。随后，通过MOCVD方法在p覆盖层上沿着该凹凸形状以膜的形式形成GaN的p接触层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造呈现出改善的光提取性能的III族氮化物半导体发光器件的方法。
技术介绍
为了改善III族氮化物半导体发光器件的光提取性能，已经提出了用于在光输出表面上设置凹凸形状的方法。在用于设置凹凸形状的已知方法中，使用了极性反转(reversed polarity)层。III族氮化物半导体通常沿+c轴方向生长并因此具有III族元素极性。然而，极性反转层至少包括具有与III族元素极性相反的氮极性的部分。可以通过在晶体中掺杂高浓度Mg 来形成极性反转层。(例如，参考日本专利申请公开(特开)Νο· 2003-101149)日本专利申请公开(特开)No. 2009-49395公开了在P覆盖层上形成p-GaN层，在P-GaN层上形成极性反转层，以及通过湿法蚀刻所述极性反转层(即，具有氮极性的区域)而形成凹凸形状。在日本专利申请公开(特开)Νο· 2010-62493中，在包含具有III族元素极性的III族氮化物半导体的P型第一半导体层上形成极性反转层。在所述极性反转层上形成包含具有氮极性的III族氮化物半导体的P型第二半导体层，以及通过湿法蚀刻所述第二半导体层的表面而形成凹凸形状。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造具有p覆盖层和p接触层的III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：通过Mg掺杂的晶体生长使晶体的至少一部分的极性反转从而形成所述p覆盖层使得在所述p覆盖层上具有凹凸形状；并且在所述p覆盖层上沿着所述凹凸形状形成所述p接触层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中田尚幸，牛田泰久，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：