一种LED芯片的图形化衬底及LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED芯片的图形化衬底及LED芯片，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的球冠组成，每个球冠的高度h为球冠对应的球体的半径R的75%~85%；相邻球冠的边缘间距d为所述球冠的底面半径r的30~50%。本实用新型专利技术与现有技术相比，具有比同底面圆半径的半球形衬底图案更优的出光效率，实际加工更简单，便于推广应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED芯片，特别涉及一种LED芯片的图形化衬底及LED芯片。
技术介绍
图形化衬底技术是近来蓝宝石衬底GaN基LED领域研究的热点。其图案演变至今，对LED光提取效果和外延质量改善显著，已成为提高LED性能的重要途径。衬底图案对LED光学性能的提高体现为两方面一方面，图案通过散射/反射改变光的轨迹，使光在界面出射的入射角变小(小于全反射临界角)，从而透射而出，提高光的提取率；另一方面，图案还可以使得后续的GaN生长出现侧向嘉晶的效果，减少晶体缺陷，提高内量子效率。为满足器件性能的要求，图案的设计已几番更新，从槽型、锥形、棱台型到目前应用较多的半球形，图形衬底技术的应用效果已受到认可。研究表明没有尖角的半球形图案，能较大限度地减小应力，降低缺陷；另外，半球体的密排布对侧向磊晶更明显，磊晶质量会显著提高；在提高光提取率方面，半球面相对于其他几种图案的多平面体结构来说，对光的发散能力更强。作为影响光路的直接因素，图案的参数(包括半径、高度和间距等)在选择上势必会影响LED的性能。D. S. Wuu等人在图案深度不同的蓝宝石衬底(基本图案为直径3 ii m的圆孔，深度由0. 5i本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的图形化衬底，其特征在于，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的球冠组成，每个球冠的高度h为球冠对应的球体的半径R的75%~85%；相邻球冠的边缘间距d为所述球冠的底面半径r的30~50%。

【技术特征摘要】
1.ー种LED芯片的图形化衬底，其特征在于，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的球冠组成，每个球冠的高度h为球冠对应的球体的半径R的75°/Γ85% ;相邻球冠的边缘间距d为所述球冠的底面半径r的3(Γ50%。2.根据权利要求I所述的LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，王海燕，周仕忠，林志霆，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：实用新型
国别省市：