用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法技术

本发明专利技术是一种用于制造一种发光器件的方法，该发光器件的发射性能通过根据发射波长优化发光层的势垒层的Al组成比来改善。通过交替堆叠InGaN阱层和AlGaN势垒层来形成多量子阱(MQW)结构发光层。每个阱层和每个势垒层形成为满足以下关系：12.9≤-2.8x+100y≤37和0.65≤y≤0.86，或者满足以下关系：162.9≤7.1x+10z≤216.1和3.1≤z≤9.2，在此，x表示势垒层的Al组成比(摩尔％)，并且y表示势垒层与阱层之间的带隙能之差(eV)，并且z表示阱层的In组成比(摩尔％)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，并且更具体地，涉及一种其特有特征在于用于形成多量子阱(MQW)层的过程的制造方法。
技术介绍
如迄今为止已知的，第III族氮化物半导体发光器件包括具有其中InGaN阱层和AlGaN势垒层以重复方式交替堆叠的MQW结构的发光层。专利文件I公开了一种包括其中阱层和势垒层以重复方式交替堆叠的MQW结构层的第III族氮化物半导体发光器件，其中势垒层由具有3摩尔％至6摩尔％的Al组成比X的AlxGa1J^形成。该专利文件也描述了器件具有460nm至470nm的发射波长。但是，该专 利文件没有提及势垒层的Al组成比与器件的发射波长之间的关系。专利文件2公开了一种包括其中阱层和势垒层以重复方式交替堆叠的MQW结构层的半导体发光器件，其中，阱层由具有5摩尔％的In组成比y的InyGai_yN形成，并且势垒层由具有13摩尔％的Al组成比X的AlxGa1J^形成。该专利文件描述势鱼层的Al组成比x理想地是6摩尔％至18摩尔％，但是没有具体描述器件的发射波长。专利文件I :日本公开特许公报(kokai)No. 2006-332365专利文件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件包括其中阱层和势垒层以重复方式交替堆叠的多量子阱结构发光层，其中每个所述阱层由含有In的第III族氮化物半导体形成，每个所述势垒层由含有Al的第III族氮化物半导体形成并且具有比所述阱层的带隙能大的带隙能，所述方法包括：将所述阱层和所述势垒层形成为满足以下关系：12.9≤？2.8x+100y≤37和0.65≤y≤0.86，在此，x表示所述势垒层的Al组成比(摩尔％)，所述势垒层的所述Al组成比定义为所述势垒层的Al摩尔数与总的第III族原子的摩尔数之比，并且y表示所述势垒层与所述阱层之间的带隙能差(eV)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村亮，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：