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本发明是一种用于制造一种发光器件的方法，该发光器件的发射性能通过根据发射波长优化发光层的势垒层的Al组成比来改善。通过交替堆叠InGaN阱层和AlGaN势垒层来形成多量子阱(MQW)结构发光层。每个阱层和每个势垒层形成为满足以下关系：12....
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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