【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮化镓系半导体发光器件的外延制作方法，属于半导体发光
技术介绍
在半导体发光以及照明等领域，以氮化镓及其他III族氮化物为代表的宽禁带半导体材料逐渐成为研究的热门材料,由氮化镓系半导体材料制作的LED蓝绿光发光二极管已经成功研制和应用，并以其高效，长寿命，环保等优点而广受关注，应用在诸如室外全彩大屏显示，LED路灯，汽车日间行车灯，交通指示灯等方面。另外室温下寿命超过1000小时的2mw短波段氮化镓系半导体激光器也已经实验成功，理论寿命估计可达10000小时以上，这意味着在未来的发展中，宽禁带半导体材料制作的·发光器件可以应用于激光打印机，大容量信息存储，水下通讯等方面，其前景十分广阔。虽然氮化镓系蓝绿光LED已经广泛应用，但是成本和技术上，仍然存在一些需要解决的问题。如异质外延的晶体质量差，缺陷密度大和光出射效率低等。由于材料本身性质以及异质外延晶格失配等原因，有源区中极化效应十分明显，产生例如量子限制斯塔克效应(QCSE)等问题。另外氮化镓系材料折射率高于通常使用的衬底或芯片封装材料，这导致器件的光提取比较困难。以上这些问题的存在...
【技术保护点】
一种氮化镓系半导体发光器件外延片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在图形化衬底表面低温生长成核层；对成核层实施高温退火，使其转变成颗粒状晶核，从而形成凹凸不平的表面；在带有颗粒状晶核的图形化衬底表面依次生长非掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层以及P型AlGaN层和掺镁P型GaN层，从而形成具有凹凸不平表面的LED有源层结构：继续采用与前一步骤相同的工艺生长表面结构层，从而获得呈现有凹凸不平的表面结构层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐琦，
申请(专利权)人：马鞍山圆融光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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