【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高亮度GaN基发光二极管外延片，包括衬底、衬底上表面上方设置一非掺杂GaN层，非掺杂GaN层上表面上方依次设置一N型GaN复合层、有源层和P型GaN复合层，其特征在于，在非掺杂GaN层和N型GaN复合层之间进一步设置一极性转换层，所述极性转换层的材料为Mg元素掺杂浓度为1×1020～5×1020cm?3的P型GaN。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓莹，康建，郑远志，陈向东，徐琦，
申请(专利权)人：马鞍山圆融光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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