发光二极管晶粒及其制作方法技术

技术编号:9172392 阅读:167 留言:0更新日期:2013-09-19 21:54
一种发光二极管晶粒,包括基板以及形成在基板上的电学层,所述基板和电学层之间形成过渡层,所述过渡层包括表面平整的平整区和表面粗糙的图案区,所述电学层与过渡层的平整区表面接触且所述电学层与过渡层之间夹设有球形氮化铝,所述电学层与过渡层的图案区之间形成间隙。本发明专利技术通过在电学层与基板之间先形成具有粗糙表面的过渡层,进而在该过渡层与该电学层间形成球形氮化铝,该氮化铝与该粗糙表面相匹配并与该电学层之间形成间隙,可提高发光层发出的朝向基板的光线经全反射向上出射的几率,从而提高发光二极管晶粒的出光效率。本发明专利技术还涉及一种该发光二极管晶粒的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管晶粒,包括基板以及形成在基板上的电学层,其特征在于:所述基板和电学层之间形成过渡层,所述过渡层包括表面平整的平整区和表面粗糙的图案区,所述电学层与过渡层的平整区表面接触且所述电学层与过渡层之间夹设有球形氮化铝,所述电学层与过渡层的图案区之间形成间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄嘉宏黄世晟凃博闵林雅雯杨顺贵
申请(专利权)人:展晶科技深圳有限公司荣创能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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