【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光二极管芯片，更具体地是一种具有崁入式金属反射层的发光二极管芯片结构。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode,简称LED)是一种PN接面处于正偏压情况下将电能转换成光能的半导体二极管。近年来，发光二极管得到了广泛的应用，在各种显示系统、照明系统、汽车尾灯等领域起着越来越重要的作用。典型的垂直型发光二极管结构可包括一 η型电极与η型层、一基板、一多重或单一量子阱区、一 P型层与一 P型电极。加上正偏压后，量子阱区产生的光线在经过多次全反射后，大部分都被半导体材料或者基板吸收，使得LED内部的吸收损失变更大，大幅降低组件的光萃取率。所以对于这种传统的LED结构而言，即使内部的光电转化效率很高，它的外量子效率也不会很高。当前有很多种方法来提高LED出光的提取效率，如加厚窗口层、表面粗化、透明衬底、倒金字塔结构等。
技术实现思路
本技术提供了一种发光二极管芯片，其可以有效提高器件的取光效率。根据技术的第一个方面，一种发光二极管芯片，包括:下电极；基板，位于所述下电极之上；嵌入式金属反射层，位于所述基板之上，由平面状金属反射层和触角状...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片，包括：下电极；基板，位于所述下电极之上；嵌入式金属反射层，位于所述基板之上，由平面状金属反射层和触角状金属反射层构成；发光外延层，位于所述金属反射层之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；以及上电极，位于所述发光外延层之上，其特征在于：金属反射层至少部分嵌入发光外延层，且与发光外延层之间存有空气间隙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨恕帆，吴俊毅，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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