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本实用新型公开了一种发光二极管芯片，其至少包括：下电极；基板，位于所述下电极之上；嵌入式金属反射层，位于所述基板之上，由平面状金属反射层和触角状金属反射层构成；发光外延层，位于所述金属反射层之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层...
该专利属于天津三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津三安光电有限公司授权不得商用。

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