一种氮化物发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氮化物发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长N型氮化物层、发光层、P型氮化物层；去除部分P型氮化物层和发光层，直至暴露出N型氮化物层；在P型氮化物表面形成电流阻挡层；在P型氮化物层和暴露出的N型氮化物层的表面形成透明电极；在透明电极表面制作焊线电极，并且P型氮化物层表面的焊线电极的位置与P型氮化物层表面的电流阻挡层位置相对应。本发明专利技术的优点在于使电流较为均匀的传输，避免了电流的拥挤现象，又避免了传统芯片中大面积N电极金属对光的遮蔽和吸收，同时也克服了漏电问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电子器件及照明领域，尤其是氮化物发光二极管芯片及其制备方法
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)将成为下一代日常照明光源已成为世界各国政府、科技界及产业界的共识，是继白炽灯，荧光灯之后的21世纪新一代“绿色照明”光源。它具有节能环保、寿命长、体积小和色彩丰富等许多优点，其作为日常照明光源的实现将产生极大的社会和经济效益。发光二极管芯片是二极管的核心部分，它是靠电子和空穴的复合来发光，因此在整个运作工程中，电流在器件中的分布和扩展对整个芯片的性能乃至最终的器件性能都有着很重要的影响。目前商品化的用于白光照明的LED芯片主要是采用有机金属化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,M0CVD)的方式在 Al2O3 上生长 GaN。由于Al2O3衬底不导电，因此作为P型和N型欧姆接触电极都只能制作在芯片的同一侧。而无论是N-GaN层还是P-GaN层的横向电阻与金属而至一些金属氧化物相比都是不能忽略的。这会导致靠近P、N电极焊盘的地方电流拥挤，严重影响到器件的性能。目前采用的解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上依次生长N型氮化物层、发光层、P型氮化物层；去除部分P型氮化物层和发光层，直至暴露出N型氮化物层；在P型氮化物表面形成电流阻挡层；在P型氮化物层和暴露出的N型氮化物层的表面形成透明电极；在透明电极表面制作焊线电极，并且P型氮化物层表面的焊线电极的位置与P型氮化物层表面的电流阻挡层位置相对应。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 在衬底上依次生长N型氮化物层、发光层、P型氮化物层； 去除部分P型氮化物层和发光层，直至暴露出N型氮化物层； 在P型氮化物表面形成电流阻挡层； 在P型氮化物层和暴露出的N型氮化物层的表面形成透明电极； 在透明电极表面制作焊线电极，并且P型氮化物层表面的焊线电极的位置与P型氮化物层表面的电流阻挡层位置相对应。2.按权利要求1所述的氮化物发光二极管的制备方法，其特征在于，在制作透明电极的同时，还在P型氮化物层和暴露出的N型氮化物层的交界处形成PN结保护层。3.按权利要求2所述的氮化物发光二极管的制备方法，其特征在于，PN结保护层和电流阻挡层材料各自独立地选自于氧化硅、氮化硅、氧化钛、和氧化铝中的一种或多种的组口 o4.按权利要求1所述的氮化物发光二极管的制备方法，其特征在于，透明电极的材料选自于Ni/Au、ITOJP ZnO中的一种或多种的组合。5.按权利要求1所述的氮化物发光二极管的制备方法，其特征在于，采用湿法腐蚀工艺形成透...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑远志，康建，徐琦，陈静，盛成功，
申请(专利权)人：马鞍山圆融光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：