图形生长衬底制造技术

本发明专利技术揭示一种图形生长衬底，包括：生长衬底，形成在生长衬底上的隔离带，隔离带把生长衬底分隔成至少两个子区域。子区域的形状包括，多边形、圆形、环形、非规则形状，以及多边形、圆形、环形和非规则形状的组合，等。其中，子区域的多边形形状包括，正三角形、正方形、长方形、平行四边形、正六边形，等。隔离带的厚度为1埃至10微米，隔离带的宽度为：≥2x(预计的外延层生长的厚度-隔离带的厚度)。生长衬底进一步包括边缘隔离带，边缘隔离带形成在生长衬底的圆周的边缘。边缘隔离带的形状包括园环形状和齿状环形状，等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种外延生长的图形生长衬底。
技术介绍
LED行业面临的主要挑战之一是:外延生长的均匀性。业界长时间以来把注意力主要集中在提高MOCVD设备的气流均匀性、石墨盘的温度场的均匀性和实时监控生长衬底的翘曲程度。但是，即使能够把石墨盘的温度场的均匀性做到完美，由于每个生长衬底的内部应力、厚度及厚度均匀性等各不相同，每片生长衬底在外延生长过程中由于外延层和生长衬底的热涨系数不同所带来的翘曲的形状和程度各不相同，使得每片生长衬底的温度场的分布不同，导致外延片上的每个芯片的性能不同。即使采用实时监控生长衬底的翘曲程度，但是，尤其是对几十片的大型MOCVD设备，很难实时监控每一片生长衬底的翘曲程度；即使能够监控，由于每一片生长衬底的翘曲程度不同，也很难调整生长工艺以便适应每一片生长衬底。因此，只是单纯改进设备，很难完全解决同一外延片上的芯片的性能的均匀性问题。同时，LED行业正在经历从2寸到4寸、到6寸、再到8寸、甚至更大尺寸的生长衬底的发展过程。生长衬底的尺寸越大，均匀性问题越重要，只有解决了大尺寸生长衬底的外延生长的均匀性问题，采用大尺寸生长衬底以便降低成本的优势才能充分表现出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形生长衬底，包括：生长衬底，形成在所述的生长衬底上的隔离带，所述的隔离带把所述的生长衬底分隔成至少两个子区域，在每个所述的子区域，所述的生长衬底的表面暴露。

【技术特征摘要】
1.一种图形生长衬底，包括:生长衬底，形成在所述的生长衬底上的隔离带，所述的隔离带把所述的生长衬底分隔成至少两个子区域，在每个所述的子区域，所述的生长衬底的表面暴露。2.根据权利要求1的图形生长衬底，其特征在于，所述的隔离带的厚度为I埃至10微米。3.根据权利要求1的图形生长衬底，其特征在于，所述的隔离带的宽度>2x(预计的外延层生长的厚度-隔离带的厚度)。4.根据权利要求1的图形生长衬底，其特征在于，所述的子区域的形状包括，多边形、圆形、环形、非规则形状。5.根据权利要求4的图形生长衬底，其特征在于，所述的子区域的形状进一步包括，多边形、圆形、环形和非规则形状的组合。6.根据权利要求4的图形生长衬底，...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晖，
申请(专利权)人：亚威朗光电中国有限公司，
类型：发明
国别省市：