半导体发光二极管结构制造技术

本发明专利技术公开了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基底的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而第一蚀刻面与外露表面间具有一第一夹角α，第二蚀刻面与外露表面间具有一第二夹角β，且第一蚀刻面和第二蚀刻面彼此相邻；及一电极结构，设置于外延结构上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种半导体发光二极管结构，特别是涉及ー种具有多个不平行蚀刻面的半导体发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管(light-emitting diode, LED)是ー种使用半导体材料制作而成的固态发光装置，而且能够将电能有效率的转换为光能。由于具有体积小、驱动电压低、反应速率快等优点，发光二极管已被广泛地应用在日常生活的各式电子产品，例如一般照明、广告牌、手机及显示屏背光源等各种用途中。结构上，发光二极管通常包括基底、外延结构，设置在基底上、P电极接触焊盘(P-side electrode pad)电连接于外延结构的P型半导体接触层(P-type semiconductorcontact layer)、N电极接触焊盘(N-side electrode pad)电连接于外延结构的N型半导体接触层(N-type semiconductor contact layer),而外延结构在P型半导体接触层以及N型半导体接触层间另具有活性发光层(active layer)。此外，在P电极接触焊盘和P型半导体接触层间通常设置有透明导电层(transparent conductive l本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光二极管结构，其特征在于包括：一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于所述外延基底的所述主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中所述第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且所述第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而所述第一蚀刻面与所述外露表面间具有一第一夹角，所述第二蚀刻面与所述外露表面间具有一第二夹角，且所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面彼此相邻；及一电极结构，设置于所述外延结构上。

【技术特征摘要】
2011.10.27 TW 1001390411.一种半导体发光二极管结构，其特征在于包括: 一外延基底，包含有一主表面和一外露表面； 一外延结构，设于所述外延基底的所述主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中所述第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且所述第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而所述第一蚀刻面与所述外露表面间具有一第一夹角，所述第二蚀刻面与所述外露表面间具有一第二夹角，且所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面彼此相邻；及 一电极结构，设置于所述外延结构上。2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述的外延基底是一具有凹凸结构的图案化外延基底。3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于还包括一外延最底层，其中所述外延最底层是含铝的氮化层材料。4.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述第一蚀刻面和所述第二蚀刻面彼此不互相平行。5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管结构，其特征在于所述彼此相邻的第一蚀刻面和所述的第二蚀刻面间有一位...

【专利技术属性】
技术研发人员：温伟值，郭修邑，王泰钧，
申请(专利权)人：广镓光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：