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本发明公开了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基底的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且第一侧壁包含有至...
该专利属于广镓光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广镓光电股份有限公司授权不得商用。

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