氮化物发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具电流注入调制层(currentmodulationlayer)的发光二极管之外延结构设计，具体的说是关于导入一种高阻值(highresistivity)的材料以改变注入电流传导路径。其主要的结构实施为分别在N型传导层或P型传导层中成长高阻值材料（如InxAlyGa1-x-yN），借由高温H2在反应炉内蚀刻（InSituEtching）直至露出部分电流传导路径，再分别成长N型或P型传导层于以覆盖而得。此设计无需二次外延即可形成电流注入调制层，此法使得注入电流在N型传导层与P型传导层具一更佳之扩展路径，更有效均匀扩散注入有源区层，进而增加发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体的是一种具电流注入调制层(current modulation layer)氮化物发光二极管之外延结构设计。
技术介绍
在现有氮化镓发光二极管中,P侧电流由P型电极经由透明传导层(transparentconductive layer)注入P型传导层乃至进入有源区(active layer),然而由于P型传导层中电洞浓度(hole concentration)通常不高(介于IO16 IO17CnT3),且其迁移率(holemobility)也多在10cm2/Vs以下,如此,造成电流在P型传导层的分布不易均勻，往往会发生电流拥挤的现象(current crowding),容易有多余的热在此处产生,最终影响发光效率。此外，因为电极下方的高电流密度，其光强度相对高，然而其所发出的光，容易被电极遮蔽或反射进来而被材料所吸收，造成光输出功率的损失。另一方面，N型传导层虽然不具P型传导层那样严苛之电传导特性，在相对均匀之电流分布注入有源区的情况下，仍是可以得到较佳之发光效率。
技术实现思路
本专利技术提供了一种具电流注入调制层(current modulation lay本文档来自技高网...

【技术保护点】
氮化物发光二极管，包含N型传导层，P型传导层，在N型传导层和P型传导层之间具有发光层；至少在N型传导层或P型传导层内包含一层电流注入调制层，其由具有开孔结构的氮化物绝缘材料层构成，所述开孔结构通过在外延生长的反应炉内通入H2蚀刻而成，用于电流传导。

【技术特征摘要】
1.化物发光二极管，包含N型传导层，P型传导层，在N型传导层和P型传导层之间具有发光层；至少在N型传导层或P型传导层内包含一层电流注入调制层，其由具有开孔结构的氮化物绝缘材料层构成，所述开孔结构通过在外延生长的反应炉内通入H2蚀刻而成，用于电流传导。2.据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于:所述电流注入调制层的材料为未掺杂的InxAlyGa1-x-yN，其中O≤x≤0.1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。3.据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于:所述电流注入调制层的开孔结构为随机离散分布。4.据权利要求3所述的氮化物发光二极管，其特征在于:所述电流注入调制层的开孔结构位于所述氮化物绝缘材料层中晶格较差的区域。5.据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于:所述电流注入调制层开孔结构的分布密度为1xl04 1xl08 Cm-2。6.据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于:所述电流注入调制层的下表面距离P型传导层的下表面的距离为50nm-200nm。7.据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于:所述电流注入调制层的厚度为 50nm 200nm。8.化物发光二极管的制作方法，通过外延生长方法沉积N型传导层，发光层和P型传导层，其特征在于:至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文禹，叶孟欣，林科闯，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：