一种表面粗化发光二极管及其制作方法技术

技术编号:9357712 阅读:126 留言:0更新日期:2013-11-21 01:06
本发明专利技术提供了表面粗化发光二极管,包括衬底、衬底正面依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层,有源层和P型半导体层被部分除去以暴露出部分的N型半导体层,所述N型半导体层暴露部分的表面和P型半导体层具有一粗化表面。以上技术方案采用粗化表面提高发光二极管的发光效率。与已有技术相比,本发明专利技术的优点在于采用无掩膜刻蚀,完成发光二极管表面的粗化,工艺简单,粗化效果明显,大幅提高了发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种表面粗化发光二极管,包括衬底、衬底正面依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层,有源层和P型半导体层被部分除去以暴露出部分的N型半导体层,其特征在于,所述N型半导体层暴露部分的表面和P型半导体层具有一粗化表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑远志康建陈向东徐琦陈静
申请(专利权)人:马鞍山圆融光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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