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本发明提供了表面粗化发光二极管，包括衬底、衬底正面依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层和P型半导体层被部分除去以暴露出部分的N型半导体层，所述N型半导体层暴露部分的表面和P型半导体层具有一粗化表面。以上技术方案采用粗化表面提...
该专利属于马鞍山圆融光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过马鞍山圆融光电科技有限公司授权不得商用。

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