一种LED表面粗化工艺制造技术

一种LED的GaN外延片表面粗化工艺，包括以下步骤：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150‑200W，直流自偏压为100V，使用Cl

LED surface roughening process

GaN epitaxial wafer surface roughening process of a LED, which comprises the following steps: (1) the GaN epitaxial wafer surface etching of ICP, ICP power of 150 200W, DC self bias voltage is 100V, the use of Cl

【技术实现步骤摘要】
一种LED表面粗化工艺
本专利技术涉及一种LED的制造工艺。
技术介绍
目前LED的制造技术已经比较成熟，注入效率和内量子效率都能达到较高的水平。但是由于芯片和封装介质的全反射临界角，芯片材料的吸收等因素，LED的光提取效率认有较大的提升空间。通常采用表面粗化技术来减少光线全反射。表面粗化技术有干法刻蚀，和湿法刻蚀。其中干法刻蚀包括反应离子腐蚀(RIE)，高密度等离子体刻蚀，电子回旋共振等离子刻蚀(ECR)感应耦合等离子刻蚀(ICP)等，湿法刻蚀包括NaOH溶液腐蚀，电化学腐蚀等。湿法腐蚀的优点很多，如可以提供低损伤的腐蚀效果，价格便宜，但是局限性也较多，如速度慢，各项同性，可控性较差等；而干法刻蚀如IPC具有较好的各向异性，均匀性，可控性，更高的刻蚀速率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题之一是结合干法刻蚀和湿法刻蚀的优点，提供一种GaN表面粗化工艺，提高表面粗化工艺的可控性和精准度。作为本专利技术的第一方面，提供一种LED的GaN外延片表面粗化工艺，包括以下步骤：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150-200W，直流自偏压为100V，使用Cl2和Ar感应耦合等离子体刻蚀，使得刻蚀后的GaN表面的粗糙度RMS为0.21-0.23nm；(2)将GaN外延片清洗：依次放入酒精超声清洗2-5分钟、去离子水中进行超声清洗2-3分钟；(3)将GaN外延片使用微波加热预热1分钟使得温度达到200-220摄氏度，后将加热到熔融状态的KOH中均匀涂抹在GaN外延片表面，将微波加热使温度稳定在220摄氏度，持续腐蚀1分钟。(4)撤去微波加热，自然冷却到室温；(5)用去离子水清洗GaN外延片表面的KOH。由于先进行了干法ICP刻蚀，各项异性，可控性好，干法刻蚀后的表面已经有一定的粗糙度，但是在此粗糙表面的基础上只要短时间(1分钟)即可得到符合粗化要求的GaN外延片，这个短时间的湿法刻蚀过程虽为各项异性，可控差，但是刻蚀的精准度已经大大提高。具体实施方式为了进一步理解本专利技术，下面结合本实施例对本专利技术优选方案进行详细描述，但是应当理解，这些说明内容只是为进一步表达本专利技术的技术特征，实现途径，不是对本专利技术的权利要求的限制。以下为最佳实施例：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为180W，直流自偏压为100V，使用Cl2和Ar感应耦合等离子体刻蚀，使得刻蚀后的GaN表面的粗糙度RMS为0.21nm；(2)将GaN外延片清洗：依次放入酒精超声清洗3分钟、去离子水中进行超声清洗2分钟；(3)将GaN外延片使用微波加热预热1分钟使得温度达到200摄氏度，后将加热到熔融状态的KOH中均匀涂抹在GaN外延片表面，将微波加热使温度稳定在220摄氏度，持续腐蚀2分钟。(4)撤去微波，自然冷却到室温；(5)用去离子水清洗GaN外延片表面的KOH。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED的GaN外延片表面粗化工艺，包括以下步骤：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150‑200W，直流自偏压为100V，使用Cl

【技术特征摘要】
1.一种LED的GaN外延片表面粗化工艺，包括以下步骤：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150-200W，直流自偏压为100V，使用Cl2和Ar感应耦合等离子体刻蚀，使得刻蚀后的GaN表面的粗糙度RMS为0.21-0.23nm；(2)将GaN外延片清洗：依次放入酒精超声清洗2-5...

【专利技术属性】
技术研发人员：章晓霞，
申请(专利权)人：章晓霞，
类型：发明
国别省市：浙江,33